宜普电源转换公司的单片式eGaN®半桥晶体管系列 荣获《Electronics Products》杂志颁发\"年度产品大奖\"

单晶片半桥式氮化镓功率晶体管EPC2100获得著名电子杂志颁发“年度产品大奖”，在竞争激烈的分立式半导体产品类别中被评选为极具创新性的产品。

宜普电源转换公司(EPC)的单片半桥式硅基氮化镓(eGaN®)功率晶体管荣获《Electronics Products》杂志颁发2014年“年度产品大奖”。

面向电子设计工程师的业界著名杂志《Electronics Products》的编辑对数千个于2014年推出的半导体产品进行评选。评审标准包括极具创新性的设计、产品在技术或应用方面具备重大的创新能力，以及在性价比和性能方面取得重大成果。宜普电源转换公司的半桥式硅基氮化镓(eGaN®)功率晶体管作为业界第一个可作商业用途的增强型单晶半桥式晶体管在竞争激烈的分立式半导体类别获得“年度产品大奖”殊荣。

“EPC2100半桥产品系列实现了新兴氮化镓半导体技术的大跃进。”《Electronics Products》杂志高级编辑Paul O’Shea说。“通过集成两个eGaN功率场效应晶体管而成为单个器件可以除去印刷电路板上器件之间的相连电感及空隙。 这样可以提高效率(尤其是器件在更高频工作时)及增加功率密度并同时减低终端用户的功率转换系统的组装成本。”

“我们非常荣幸获得业界著名杂志《Electronics Products》的备受尊崇编辑群的支持，评审选出EPC2100氮化镓(eGaN)半桥产品系列及颁发“年度产品大奖”。此项殊荣是对新兴氮化镓技术在功率转换领域的领导地位予以肯定。我们深信硅基MOSFET在发展进程上已经走到尽头，而eGaN技术将继续带领业界提升功率管理产品的性能并实现革命性的突破。”宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow说道。

2014年“年度产品大奖”项于《Electronics Products》杂志2014年1月刊宣布并刊载了关于每一个获奖产品的特稿及摘要。详情请浏览该杂志网站，网址为http://www.electronicproducts.com/Discrete_Semiconductors/Transistors_Diodes/First_GaN_half_bridge_transistor_integrates_two_GaN_FETs.aspx

《Electronics Products》杂志的第39届“年度产品大奖”选出2014年度业界最佳产品。

关于EPC2100 单片半桥式eGaN产品

EPC2100半桥式硅基氮化镓(eGaN®)功率晶体管是业界第一个可作商业用途的增强型单晶半桥式晶体管，为功率系统工程师提供一个可以提高全降压型转换器系统的效率及功率密度的解决方案，并在10 A输出电流时实现接近93%的效率;以及推动12 V转1.2 V的负载点转换器系统工作在500 kHz、25 A输出电流时实现超过90.5%的效率。

关于Hearst Electronics Group

Hearst Electronics Group (HEG)为全球电子工程业界的专业人士提供独有产品信息及资料、库存搜索工具、撰写内容服务、设计工具、论坛及社区支持包括工程师、采购及策略决策者。 HEG旨在成为任何需要搜索关于电子元件及系统设计工具的资料的设计师会使用的唯一的技术平台。HEG拥有的商标包括Electronic Products、 EEM.com、21ic、今日电子、Embedded Developer、EEWeb及Aspen Labs，它隶属于Business Media (HBM)，HBM为Hearst Corporation的营运集团。 如欲知道更多关于该集团的资讯，请浏览这些网址：electronicproducts.com、eem.com、embeddeddeveloper.com、epc.com.cn、 21ic.com、eeweb.com、aspenlabs.com及hearstadvantage.com。

宜普电源转换公司简介

宜普电源转换公司(www.epc-co.com.cn )是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括直流- 直流转换器 、 无线电源传送 、 包络跟踪 、射频传送、太阳能微型逆变器、 光学遥感技术(LiDAR) 及 D类音频放大器 等应用，器件的性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。

商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。