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[导读]概述:LTC4366浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部N沟道MOSFET的栅极,LTC4366可在过压瞬变过程中调节输出。在MOSFET两端承载过压的情况下,负载可以

概述:

LTC4366浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部N沟道MOSFET的栅极,LTC4366可在过压瞬变过程中调节输出。在MOSFET两端承载过压的情况下,负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离LTC4366,并允许其随电源向上浮动;因此,输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和MOSFET的额定规格。

一个可调的过压定时器能在浪涌期间避免损坏MOSFET,而一个附加的 9s 定时器则为MOSFET提供了冷却周期。停机引脚负责在停机期间将静态电流减小至14 A以下。在 一个故障发生之后,LTC4366-1将锁断,而LTC4366-2则将执行自动重试操作。

特 点

坚固型浮动拓扑结构宽工作电压范围:9V 至 >500V可调的输出箝位电压控制 N 沟道 MOSFET可调保护定时器内部 9s 冷却定时器停机 IQ < 14 A采用 8 引脚 TSOT 和 8 引脚 3mm x 2mm DFN 封装

应 用

工业、汽车和航空电子浪涌保护高电压 DC 分配

典型应用:

引脚配置:

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2.LTC4366浪涌抑制器工作原理详解

摘 要:本 文描绘了三种操作状态:起动、运行和调节模式。先前的浪涌抑制器件由输入电源供电,因此所能承受 的浪涌电压被限制为器件输入引脚的击穿电压。如运行模 式和调节模式所示,该器件的大部分电路都由输出供电, 于是MOSFET将浪涌与器件的电源引脚隔离开来。这允许用于浪涌电压高至外MOSFET的击穿电压。

3.LTC4366高压浪涌抑制器应用深入讲解(独家收录)

摘 要:LTC4366浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部N沟道MOSFET的栅极,LTC4366可在过压瞬变过程中调节输出。在 MOSFET两端承载过压的情况下,负载可以保持运作状态。本文详细介绍了LTC4366的原理、工作过程分析和操作时序。

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