500A功率开关控制电路图
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该电路采用50个BUZ23场效应晶体管并联,管的阻断电压为100V.所需的控制功率极小,并且不会有二次击穿和导通区段正温度系数等现象产生。由于整个电路电流很大,故其中门极电阻、元件采用50个并联的连接方式。
为了把负载回路导线电感中储存的能量放掉,在漏-源极间接入由20个RC元件并联的吸收回路。
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该电路采用50个BUZ23场效应晶体管并联,管的阻断电压为100V.所需的控制功率极小,并且不会有二次击穿和导通区段正温度系数等现象产生。由于整个电路电流很大,故其中门极电阻、元件采用50个并联的连接方式。
为了把负载回路导线电感中储存的能量放掉,在漏-源极间接入由20个RC元件并联的吸收回路。
【2023年5月15日,德国慕尼黑讯】如今,3.3 kW的开关电源(SMPS)通过采用图腾柱PFC级中的超结(SJ硅)功率MOSFET和碳化硅(SiC)功率MOSFET,以及能够满足高压DC-DC功率转换要求的氮化镓(G...
关键字: 功率开关 双通道隔离栅极驱动器IC