基于Microsemi FPGA的TFT控制的四大解决方案

方案一：低成本、多功能、低分辨率显示方案

该方案采用性价比最高的A3P030和SRAM来实现，不仅成本低，而且灵活性非常大，实现的功能丰富，由于采用性价比较高的SRAM,容量有限，适合于低分辨率的TFT屏显示。

功能特点：

1、采用Microsemi小容量的A3P030以及SRAM(IS61LV25616AL)来实现，具有成本低的特点

2、接口非常灵活，根据不同的需要可以定制Intel并行总线接口、SPI接口等

3、并行总线接口的速度最高可达25MHz左右，相当于480×272分辨率的TFT在1秒钟内可以更新191副图片;SPI的时钟速度同样可以达到25MHz以上的速度

4、支持双缓存的操作，两个缓存都可进行读写的操作

5、支持双缓存间数据拷贝功能，两缓存间可以进行DMA的数据拷贝

6、支持定点和区域更新内容

7、支持16位色480×272以及以下分辨率的TFT显示屏，刷新率在60Hz以上

8、支持前景色和背景色设置的功能

9、显示数据来源于MCU,数据可以存放于外部的串行或并行的Flash,可以存放图片、汉字库等，容量大小由用户自行控制

10、配套提供的MCU GUI库可以实现画点、画线、画圆、画矩形等功能

方案二：低成本、高性能、高分辨率显示方案

该方案采用A3P060和SDRAM的方式实现，同样成本低，由于Microsemi资源较为丰富，并且内部带有PLL,所以可以实现高分率的TFT显示，最高可达1024×768.

功能特点：

1、采用Microsemi中等容量的A3P060以及SDRAM(IS42S16400F)来实现，同样具有成本低的特点

2、接口灵活，根据不同的需要可以定制Intel并行总线接口或SPI接口等

3、并行总线接口的速度最高可达50MHz左右，相当于800×600分辨率的TFT在1秒钟内可以更新100副图片

4、支持双缓存的操作，两个缓存都可进行读写的操作

5、支持定点和区域更新内容

6、支持16位色1024×768以及以下分辨率的TFT显示屏，刷新率在60Hz以上

7、显示数据来源于MCU,数据可以存放于外部的串行或并行的Flash,可以存放图片、汉字库等，容量大小由用户自行控制

8、配套提供的MCU GUI库可以实现画点、画线、画圆、画矩形等功能[!--empirenews.page--]

方案三：高性能、低分辨率显示方案

该方案采用A3P060和SRAM的方式实现，并将串行Flash由FPGA来控制，由于A3P060资源较为丰富，可以实现较高的图片显示速度，并且降低了MCU的负担。

功能特点：

1、采用Microsemi中等容量的A3P060以及SRAM(IS61LV25616AL)来实现，成本较低，略高于前两者的方案

2、接口灵活，根据不同的需要可以定制8位Intel并行总线接口或SPI接口等

3、TFT的显示数据通过FPGA从串行Flash读取，MCU负责发送图片显示的命令，大大减轻了MCU的负担，以至于可以通过普通的8位MCU即可实现TFT的控制显示，1秒钟内可以更新30副320×240分辨率的图片

4、支持定点和区域更新内容

5、支持16位色480×272以及以下分辨率的TFT显示屏

6、串行Flash最高支持128Mbit的，可以存放61幅480*272的图片

7、配套提供的MCU GUI库可以实现画点、画线、画圆、画矩形等功能

方案四：多功能、高分辨率显示方案

该方案采用A3P125和SDRAM的方式实现，由于A3125资源较为丰富，除了可以实现高分辨率的显示以外，还可以实现多图层的功能，功能上高于上述的方案。

功能特点：

1、采用Microsemi中等容量的A3P125以及SDRAM(IS42S16400F)来实现，功能丰富，性能较高;

2、接口灵活，根据不同的需要可以定制Intel并行总线接口或SPI接口等;

3、并行总线接口的速度最高可达50MHz左右，相当于800×600分辨率的TFT在1秒钟内可以更新100副图片;

4、支持双缓存的操作，两个缓存都可进行读写的操作;

5、支持双缓存间数据拷贝功能，两缓存间可以进行DMA的数据拷贝;

6、支持定点和区域更新内容;

7、支持多图层的操作，可以支持2~4个图层，根据不同的分辨率不同而不同;

8、支持16位色1024×768以及以下分辨率的TFT显示屏，刷新率在60Hz以上;

9、显示数据来源于MCU,数据可以存放于外部的串行或并行的Flash,可以存放图片、汉字库等，容量大小由用户自行控制;

10、配套提供的MCU GUI库可以实现画点、画线、画圆、画矩形等功能。