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[导读]Vishay推出新款ESD保护阵列VBUS053BZ-HNH-G-08Vishay推出具有低容值和低漏电流的新款ESD保护阵列VBUS053BZ-HNH-G-08,可保护USB-OTG端口免受瞬态电压信号的损害。新的VBUS0

Vishay推出新款ESD保护阵列VBUS053BZ-HNH-G-08

Vishay推出具有低容值和低漏电流的新款ESD保护阵列VBUS053BZ-HNH-G-08,可保护USB-OTG端口免受瞬态电压信号的损害。新的VBUS053BZ-HNH-G-08在5.5V工作电压范围内可提供3路USB ESD保护,在12V工作电压范围内提供1路VBUS保护。

 

VBUS053BZ-HNH-G-08采用无铅的LLP1713-9M,封装,具有0.6mm的超低外形,可在高速数据应用中减少有源ESD保护所需的电路板空间,如USB 2.0,HDTV及便携式游戏机、MP3播放器和手机等移动电子设备中的HDMI端口。

新器件的D+、D-和ID三条数据线的容值低至0.7pF,在3.3V工作电压下的最大漏电流为0.085μA,5.5V电压下的漏电流为 1μA。阵列对负瞬态的最大钳位电压大于4.1V,在3A电流下,可对数据线上的正瞬态提供小于18V的钳位电压。对于VBUS线,VBUS053BZ- HNH-G-08在8A电流时的最大钳位电压为30V。

VBUS053BZ-HNH-G-08可提供per IEC 61000-4-2(ESD)规定的12kV(空气放电)和15kV(接触放电)瞬态保护,浪涌电流保护符合IEC 6100-4-5标准,可达3A。

这款无铅器件采用无卤素的模压化合物,符合RoHS 2002/95/EC和 WEEE 2002/96/EC规范。

新款USB-OTG总线端口保护阵列现可提供样品,将于2010年第一季度量产,大宗订货的供货周期为八周至十周。

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