ONFI发布新的NAND规范创造新的速度纪录

开放式NAND闪存接口（ONFI）工作组专门致力于简化NAND闪存与消费电子设备、计算平台及工业系统的集成。该组织今天发布了ONFI 2.1版技术规范。这个芯片级标准接口是最新的规范，延续了ONFI工作组此前发布的标准：ONFI 1.0和ONFI 2.0。与之前发布的版本一样，ONFI 2.1版规范提出更简化的闪存控制器设计，但是把性能水平提高到新的范围层次——每秒166兆字节（MB/s）到200MB/s。展望未来，ONFI工作组还宣布，已着手制订更新的ONFI 3.0版规范，速度最高可达400MB/s。

如今，对于固态驱动器等闪存型设备来说，更快的速度成为关键设计因素；在此背景下，尤其是在这些固态驱动器所连接的接口采用Serial ATA 6 Gb/s、USB 3.0和第二代PCI Express标准能够提供更快数据率的情况下，ONFI 2.1版规范响应了市场对提高NAND整体性能的需求。

此外，新版技术规范认识到，消费者对上网本（netbook）等低成本消费品的需求激增，而且市场要求应用低成本、高性能的闪存为这些设备提供支持的需求也极为迫切，为此，ONFI 2.1在技术规范中新加入了Small Data Move命令。有了Small Data Move命令，过去为了在这些低成本内存架构实现良好的纠错功能所必需的昂贵且数量可观的内部存储需求就不复存在了。ONFI 2.1版规范的其他特色及功能有：

•兼容性。延续了ONFI一贯坚持的向后兼容性，ONFI 2.1版标准与ONFI 2.0、ONFI 1.0以及老式NAND接口兼容。
•交错读取性能更优。ONFI 2.1版规范新增对交错读取的支持，能延展读取的管道，尤其是在阵列时间可能更长的多层单元（MLC）架构中。
•更完善的纠错码通信功能。随着NAND原始误码增多，使用的纠错码数量也不断增加。ONFI 2.1版规范支持NAND设备通过扩展纠错码信息同时传送多组纠错码参数。
•更好的功率管理。ONFI 2.1版规范允许主机向NAND写入数据时停止时钟，这样最高可节省数十毫瓦的电量。
•新推出的Change Row Address命令。在多媒体卡（MMC）和SD卡应用中，有一些命令支持主机无限期地写入数据。主机停止写入数据时，可能位于“页”（page）的中央，这样会加重NAND的负担。Change Row Address命令可更改“页”写入位置，以避免将不完整的“页”写入最后的位置，这样可以减轻NAND的压力。

恒忆公司（Numonyx）系统架构经理Mark Leinwander说，“ONFI为下一代嵌入式和消费电子设备提供了强大的平台。对于NAND闪存行业的发展来说，为内存制订系统级的标准是非常关键的；能为此做出贡献，恒忆公司感到很自豪。ONFI 2.1版规范以ONFI 1.0版规范提供的标准化命令集和引脚定义为基础，有助于为下一代高速应用奠定基础。”

索尼美国分公司美国地区企业技术总监Peter Douma说，“NAND闪存在许多消费电子设备的设计之中发挥关键作用。我们为ONFI努力要达到的性能水平而备受鼓舞，200MB/s是非常了不起的成绩。”

过去六个月里，ONFI工作组与美国电子器件工程联合委员会（ The Joint Electron Device Engineering Councils，JEDEC）进行了富有成效的合作；这是一个侧重于未来NAND标准化的联合工作组的工作内容之一。欢迎ONFI及JEDEC各成员参与上述工作。ONFI 2.1版规范已提交给上述联合工作组，作为继续合作的材料。