IR 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET

IR 推出一系列150V和 HEXFET功率，为模式电源 （） 、不断电系统 （UPS）、反相器和DC马达驱动器等工业应用提供极低的闸电荷 （Qg）。

与其它竞争器件相比，IR 150V 提供的总闸电荷降低了高达59%。至于新款 的闸电荷，则比竞争器件的降低了多达33%。

这些新款MOSFET达到工业级别及第一级湿度感应度 （） 。它们采用、、TO262、和封装，皆为无铅设计，并符合电子产品有害物质管制规定 （RoHS） 指令。