影响电容器tanbBJ因素

;;; 影响电容器tanb-O<J因素较多，主要有下列几个方面。
;;; (1)电容器ESR的影响。ESR (Equivalent Series Resistance)意为等效串联电阻，SCH5017它存在于各种电容器中。电容器的ESR越大，tan~大，电容器的损耗就越大。可见，电容器损耗的关键因素是ESR，所以高品质电容器中的ESR要求越小越好，这样就出现了低ESR的电容器。
;;; (2)电容器的tan8-频率相关。生产厂家给出的tan雅其测试频率为120Hz。
;;; (3)电容器的tan8-温度相关。例如，CC10型超高频瓷介电容的损耗角正切值，在正常温度下( 20 0C+5℃)为0.001 2，在正极限温度下(850C)却为0.001 8。可以看出，受温度的影响是较大的。
;; ;电容器的ESR
;;; 电容器因为其构造等因素会产生各种阻抗、感抗，其中主要是等效串联电阻ESR及等效串联电感ESL。
;;; 在绝大多数情况下，希望电容器的ESR越小越好，ESR很小的电容器（称为低ESR屯容器）价格很高。
;;; 1．影响电容器ESR的主要因素
;;; 电容器的ESR大小与电容器的制造相关。
;;; 电容器的ESR大小主要与下列因素相关。
;;; (1)电容器的材料相同时，容量越大，ESR越小。
;;; (2)同一品牌的电容器，在容量固定时，耐压高，ESR往往低。在实用电路中，时常可以见到多只ESR比较高的电解电容器并联起来使用，这样可以减小整个并联电容器的ESR值。
;;; (3)电容器的ESR与频率相关。这里有一个测试数据：200MHz，ESR-0.04Q; 900MHz,ESR-O.10Q;2 000MHz,; ESR-0.13Q。
;;; 如图4-36所示是普通电解电容器与低ESR电解电容器的ESR曲线，从曲线中可以看出，低ESR电解电容器的ESR在高频段明显低于普通电解电容器的ESR。
;;; 从曲线中可以看出，对于普通电解电容器而言，随着工作频率升高，电容器的ESR下降，下降得比较缓慢，且下降量不大。
;;; 对于低ESR电解电容器而言，频率刚开始升高时ESR下降明显，大约在1MHz时ESR达到最小。
;;; 图4-36普通电解电容器与低ESR电解电容器的ESR曲线;;;;;;;;;;;
;;; (4)不同材料电容器的ESR也不相同。电解电容器的ESR明显高于薄膜电容器。在电解电容器中，铝电解电容器的ESR又高于钽电解电容器。在薄膜电容器中，聚丙烯、聚苯乙烯等材料的电容器的ESR较小。
;;; F聚丙烯电容器的ESR为lOmQ，而容量达1 000UF的铝电解电容器，其ESR为O.lQ。
;;; 如图4-37所示是几种不同材料电容器随频率变化的ESR曲线。曲线中多种电容器的容量相同，额定电压相同，从曲线中可以看出不同材料电容器的ESR变化较大。;;;;;;;;;;;;
;;; (5)电容器ESR与温度的关系。温度升高也会造成电容器ESR的提升。如图4-38所示是不同温度下电容器的ESR频率特性曲线，从曲线中可以看出，温度升高后电容器的ESR明显上升。