赛普拉斯的异步SRAM系列又添新丁

静态随机存取存储器(SRAM)市场领导者赛普拉斯半导体公司日前宣布，其具有错误校正码(ECC)的4Mb异步SRAM正在出样。这些新款SRAM的片上ECC功能可提供最高水平的数据可靠性，而无需额外的错误校正芯片，从而简化了设计，并缩小了电路板尺寸。该器件可在工业、军事、通讯、数据处理、医疗、消费及汽车等应用中确保数据的可靠性。

由背景辐射引起的软错误可损坏存储器中的内容，造成重要数据的遗失。赛普拉斯新型异步SRAM系列中的硬件ECC模块可在线执行所有的错误校正功能，而无需用户干预，能达到业界最佳的小于0.1 FIT/Mb的软错误率(SER)性能(一个FIT等于器件每工作十亿小时发生一次错误)。这些新款器件与现有的快速异步和低功耗SRAM管脚兼容，客户无需改变电路板设计，即可提高系统的可靠性。这些4Mb SRAM还有可选的错误指示信号，可指示单比特错误的校正。

赛普拉斯异步SRAM业务部高级总监Sunil Thamaran说：“去年我们推出了首款具有片上ECC功能的16Mb异步SRAM，客户反响强烈。增加一款不同容量的产品，可使片上ECC技术造福于更多的应用。赛普拉斯一直致力于开发新的SRAM技术，为客户更好地服务，同时巩固我们在市场中不可撼动的领导地位。”

赛普拉斯4Mb异步SRAM有三款可选——快速4Mb SRAM、MoBL(更长电池寿命)4Mb SRAM、带PowerSnooze™功能的快速4Mb SRAM(附加深度睡眠节能模式，该模式下最大电流仅为15 uA)。每款均为业界标准的x8或x16配置。这些器件可在多种电压下工作(1.8V、3V和5V)，温度范围是-40°C 到 +85°C(工业级)和-40°C 到 +125°C(汽车E级)。