传三星Galaxy S8要上8GB运行内存：10nm良率是问题

 Galaxy Note 7的失败，不仅让三星更加重视S8的开发，也让消费者们对这款产品备受期待。之前，曾剧透三星S8值得期待的地方包括：首发骁龙835、5.7/6.2英寸RGB Super AMOLED 2K全面屏设计、前摄像头自动对焦、虹膜识别、光学指纹识别、Y-OCTA触控技术、哈曼卡顿环绕式双扬声器等。

现在有消息称，三星Galaxy S8将有可能用上8GB RAM和UFS 2.1闪存芯片。值得一提的是，今年10月份的时候，三星就宣布该公司开发的全球首款8GB LPDDR4 DRAM投入量产，采用10nm工艺，数据处理能力高达4266Mbps，性能已经超越PC同类DDR4 DRAM。

这样一来，三星Galaxy S8有可能实现处理器、运存双10nm的配搭， 理论上功耗将下降不少，续航提升会非常明显。但是，10nm工艺的良品率低至今仍然是业界普遍关注的一大问题，或许正是因为这个原因，之前有消息传三星S8发布时间将延迟到明年4月份。

另外也有消息称，如果良品率长期仍然无法改善，那么这款运存芯片很有可能要等到明年Galaxy Note 8才能使用。

值得一提的是，三星Galaxy S8还有可能首发之前传闻的Exynos 8895，同样采用10nm工艺，早期工程版跑分高达单线程2301，多线程7019分，主频3.0GHz，性能依然非常强劲。不过国行可能还是得用骁龙835，毕竟三星彻底搞定全网通还要再等1-2年。

如果真的用上了8GB运存，你会买买买三星Galaxy S8吗?