吃到存储芯片带来的甜头，三星考虑扩大西安工厂的产能

韩国三星电子周一表示，由于行业处于繁荣阶段，正在考虑扩大其中国制造基地的存储器芯片产能。

三星发言人称，正在考虑扩大西安工厂的产能，但具体细节还未确定，包括可能的投资规模以及新增产能将用于生产哪些产品。

消息人士说：「三星与当地政府正进行协商最后阶段。 很可能在9月动工。 」三星西安厂现有第一产线是在2014年兴建，月产12万片NAND内存晶圆，若加上规划中的第二产线，产量将达20万片。

三星电子是全球最大的存储器芯片生产商，已经在西安工厂投资70亿美元生产3D NAND存储器芯片。这种芯片用于智能手机、个人电脑和数据服务器等电子设备上的高端数据存储产品。

三星原本已于西安厂投资70亿美元生产NAND，现在计划让位于南韩京畿道平泽市的全新NAND芯片厂自6月启动营运，月产能可达20万片。

三星陆厂将生产较低端芯片，多数供应中国手机市场，而韩厂将专注于生产高端芯片。

由于用户对消费电子产品处理能力的需求不断增长，以及随着技术越来越复杂，投资的生产收益下降，预计三星等存储器芯片公司将在2017年录得创纪录的营收和利润。市场研究公司IHS预计，今年的存储器行业收入将跃升32%至创纪录的1，040亿美元。

业界高管和分析师表示，3D NAND供应商2017年全年可能难以满足客户的订单。

三星及其同业相应地增加了3D NAND投资。 虽然三星迄今没有给出具体目标，但在4月份表示，资本支出今年将大幅上升，部分原因是其计划提高3D NAND产能。

内存业表示，三星提高资本支出增产3D NAND Flash，预估投产时间落为2019年，与大陆内存厂产出的时间相近，是否会引发市场供需陷入供过于求，目前还难断定。

群联电子董事长潘健成表示，3D NAND制程难度高，且需求相当强劲，主要制造大厂均表示未来三年的产能仍无法供应，因此预料三星增产3D NAND芯片，应是看好在3D NAND芯片取得较佳机会。

潘健成认为，至少二年内，NAND芯片会一直缺货，而且今年第3季将是史上最缺货的一季。

此外，三星资本支出集中增产3D NAND Flash，目前虽未有增产DRAM计划，但对DRAM厂而言，仍将处于供需平衡阶段。 业者也预期，目前各家都有节制的增产，透过技术升级达到增加产出，未见投资新厂，但后续得密切观察三星在内存的产能挪移。

南亚科估计，今年DRAM也是处于缺货的一年，下半年以第3季缺货程度最高，缺口估有1%~2%，预料进入传统备货旺季，DRAM价格会再看涨。