苹果出现NAND 闪存芯片供应不足，求助三星？

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND被证明极具吸引力。NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。

来自台湾地区的行业消息称，苹果公司(以下简称“苹果”)新一代智能手机iPhone 7s、iPhone 7s Plus和iPhone 8正遭遇NAND闪存芯片供应不足的问题。

自iPhone 7开始，苹果引入了新型闪存3D NAND闪存。这种新型闪存由英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存的限制。

但来自台湾地区的行业消息称，苹果的3D NAND闪存供应商SK Hynix和东芝的成品率均较低，导致产量较之前的预期低30%。

为了解决该问题，苹果不得不将三星纳入到闪存供应商之列。与SK Hynix和东芝相比，三星的3D NAND闪存成品率比较稳定，因此产量有保证。

在iPhone 7中，苹果使用了48层NAND闪存。有消息称， iPhone 8的NAND闪存将达到64层，意味着同等空间下将能存储更多数据额。

凯基证券(KGI)分析师郭明錤(Ming-Chi Kuo)本周一曾表示，今年iPhone 7s、iPhone 7s Plus和iPhone 8将配备64GB和256GB两种存储空间选项。

由于财大气粗，苹果可以确保自己的3D NAND闪存供应量。而其他手机厂商就没有这么幸运了，必将受到供应量有限的影响。据预计，3D NAND供应问题要到2018年才能得到缓解。