ReRAM技术的难题：测试

随着AI、大数据等应用的兴起，业界对于存储的要求达到了一个新的高度。但现在主流的存储中，NAND的传输速度比较慢，而传输较快的DRAM则是易失性的，这就推动存储供应商往下一代的存储进军，其中ReRAM就是其中一个代表。

这个被称作可变电阻式内存(Resistive random-access memory)是一种新型的非易失性内存，拥有消耗电力较低，且写入信息速度比NAND闪存快1万倍的特点。能够被应用到系统的主内存(DRAM)和储存器(NAND 闪存)之间，填补这两者之间日益增大的延迟差距;或者被应用到神经形态计算中，实现人工智能和机器学习。早前惠普推出的新型计算机“The Machine”就应用了这项存储技术。除此之外，包括4DS、Adesto、Crossbar、美光、松下、三星、索尼等公司也在开发 ReRAM技术。

但是，ReRAM是一项很难掌握的技术：

对晶圆厂的生产来说，它是一种相对简单直接的工艺。ReRAM 和 STT-MRAM 都只需要少量几个掩模步骤而且可在晶圆厂中所谓的生产线后道工序(BEOL)制造生成。而且 STT-MRAM 和 ReRAM 都构建在芯片的金属层的触点或通孔之上。

除制造以外，测试也是需要亟待翻越的另一座大山。如我们需要解决其中的缺陷测试问题。

在正常条件下，ReRAM能够在HRS和LRS两种状态建切换，这时候CFR能够被观察到，然后就能根据观察状态找到问题所在。为达到这些目的，就需要针对可靠性评估开发出新的表征技术。自动化程度极高的Keithley 4200就能完美解决这些问题。

不止ReRAM，标准逻辑产品也是Keithley 4200的优势所在。

我们知道，摩尔定律的发展，推动着逻辑产品向微缩发展。新制程、材料、架构甚至新产品概念的引入，都会给产品的可靠性带来挑战，进而给测试设备带来了。例如越来越薄的氧化层，就要求更快的测试速度;如何区分和明白不同类型的缺陷，对他们来说就显得尤其重要。

这时候Keithley 4200也就有了用武之地。