当前位置:首页 > 物联网 > 网络层
[导读]北极星电网在线讯:中国首次实现碳化硅大功率器件的批量生产,在以美、欧、日为主导的半导体领域形成突破。业内专家指出,这一突破有望缓解中国的能源危机。泰科天润半导体科技(北京)有限公司G2S06010碳化硅肖特基二极

北极星电网在线讯:中国首次实现碳化硅大功率器件的批量生产,在以美、欧、日为主导的半导体领域形成突破。业内专家指出,这一突破有望缓解中国的能源危机。

泰科天润半导体科技(北京)有限公司G2S06010碳化硅肖特基二极管产品鉴定会暨新产品信息发布会20日在北京举行。鉴定委员会认为该公司的量产工艺方法、产品性能达到了国际同类产品的先进水平。

据悉,经过两年攻关,泰科天润研发的碳化硅肖特基二极管多个产品已成功量产,产品涵盖600V—3300V等中高压范围。其中,600V/10A、1200V/20A等产品成品率达到国际先进水平。

总经理陈彤介绍,利用碳化硅单晶衬底和外延材料制作的电力电子器件可以在高电压、大电流、高频率环境下工作,“与传统的硅器件相比,碳化硅电力芯片能够大幅度减少电力设备体积和重量,能大幅降低各项设备系统的整体成本并提高系统的可靠性”。

数据表明,属于“宽禁带”的第三代半导体的碳化硅,大功率在降低自身功耗的同时,提高系统其他部件的功效,可节能20%至90%。

中国电器工业协会电力电子分会常务副理事长肖向锋指出,这一成果对于煤炭、石油等资源越发紧缺的中国具有现实意义。

“为应对能源危机,国家提出节能减排,电能的输送、分配都离不开电力电子技术”,肖向锋解释说,现有的电子技术基于半导体硅材料器件,但受制于硅材料的物理性能,器件功耗大。碳化硅器件的研发、生产无疑可解“燃眉之急”。

“我国功率器件产业整体落后美、欧、日等发达国家,关键技术装备基本依赖国外”,陈彤在受访时说,但在第三代半导体器件方面,国内研究机构和企业已有赶超之势。

他认为这得益于政府导向,国家863计划新材料技术领域以及科技支撑计划能源领域在2014年度备选项目征集指南中指明,要开展第三代半导体材料的关键技术、器件制备及研制电力电子芯片和器件等科研计划。他们的“碳化硅电力电子器件产业化投资项目”也已被北京市海淀区向市科委推荐,申报“重大科技成果转化落地培育”专项资金。

肖向锋亦提出三点要求,“提高自己团队的技术水平,提高研发能力,健全生产线”。他希望以此为契机,将预计达千亿元规模的中国碳化硅器件产业做起来。

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

深圳2025年9月8日 /美通社/ -- 晶泰科技(2228.HK)今日宣布,由其助力智擎生技制药(PharmaEngine, Inc.)发现的新一代PRMT5抑制剂PEP0...

关键字: 泰科 AI MT BSP

深圳2025年8月21日 /美通社/ -- 国际生物医药界最高荣誉之一——2025 年盖伦奖(Prix Galien USA)近日公布提名名单,晶泰科技孵化企业希格...

关键字: 诺贝尔 泰科 AI BSP

马萨诸塞州剑桥2025年8月20日 /美通社/ -- 今天,晶泰科技(2228.HK)宣布与韩国领先的制药企业——韩国Dong-A ST(东亚公司)签署合作备忘录(MOU),...

关键字: 泰科 AI 机器人 ST

碳化硅(SiC)功率开关器件正成为工业电池领域一种广受欢迎的选择,因其能够实现更快的开关速度和更优异的低损耗工作,从而在不妥协性能的前提下提高功率密度。此外,SiC还支持 IGBT技术无法实现的新型功率因数拓扑结构。本文...

关键字: 充电器 碳化硅 功率开关器

在当今工业领域,随着设备智能化、高效化发展,对辅助电源的性能要求日益严苛。传统辅助电源在面对高电压、高功率密度以及节能需求时逐渐力不从心,而碳化硅(SiC)技术的兴起,为工业设备辅助电源驱动提供了创新且高效的解决方案。

关键字: 辅助电源 高功率密度 碳化硅

碳化硅(SiC)功率开关器件正成为工业电池领域一种广受欢迎的选择,因其能够实现更快的开关速度和更优异的低损耗工作,从而在不妥协性能的前提下提高功率密度。此外,SiC还支持 IGBT技术无法实现的新型功率因数拓扑结构。本文...

关键字: 工业充电器 碳化硅 功率开关

马塞诸塞州剑桥2025年8月6日 /美通社/ -- 8 月 5 日,晶泰科技(2228.HK)宣布与 DoveTree 完成总订单规模约 470 亿港元(59.9 亿美元)的...

关键字: 泰科 AI OV VERDI

在数据中心直流供电系统向高密度、高频化演进的进程中,碳化硅(SiC)MOSFET凭借其低导通电阻、高频开关特性及高温稳定性,成为替代传统硅基IGBT和MOSFET的核心器件。然而,其高速开关过程中产生的直流电磁干扰(EM...

关键字: 碳化硅 MOSFET 直流EMI

在当今工业领域,随着设备智能化、高效化发展,对辅助电源的性能要求日益严苛。传统辅助电源在面对高电压、高功率密度以及节能需求时逐渐力不从心,而碳化硅(SiC)技术的兴起,为工业设备辅助电源驱动提供了创新且高效的解决方案。

关键字: 碳化硅 高功率密度 辅助电源

协议旨在整合利用Microchip mSiC™技术与台达智能节能解决方案,加速可持续应用开发

关键字: 碳化硅 电源管理 MOSFET
关闭