技术学院
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DC-DC电路设计技巧及器件选型原则详解
DC-DC转换器作为现代电子设备的核心电源组件，其设计质量直接关系到终端产品的性能和可靠性。随着物联网设备、新能源汽车和5G通信技术的快速发展，对DC-DC转换器的效率、尺寸和稳定性提出了更高要求。
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深入解析微服务系统监控分层：构建可靠分布式架构的基石
在微服务架构中，监控系统如同人体的神经系统，实时感知系统状态并传递关键信息。随着服务粒度细化、调用链路复杂化，传统单体应用的监控模式已无法满足需求。
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电机控制技术总结：从基础原理到前沿应用
电机控制技术是现代工业自动化的核心，广泛应用于机器人、电动汽车、智能家居等领域。随着电力电子技术和微处理器的发展，电机控制从简单的开环操作发展到复杂的闭环系统，实现了高精度、高效率的运动控制。
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多速率信号处理的挑战与机遇
在数字信号处理领域，采样率转换是通信、雷达、医疗成像等系统的核心需求。传统FIR/IIR滤波器在固定采样率下表现优异，但当需要实现内插(升采样)或抽取(降采样)时，其计算复杂度和硬件成本呈指数级增长。CIC(级联积分梳状)滤波器以其独特的结构优势，成为解决这一难题的利器。
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PWM驱动MOS管H桥电路详解
在现代电子控制系统中，电机驱动技术占据着核心地位。无论是工业自动化设备、家用电器还是电动汽车，高效可靠的电机控制都是实现精准运动控制的关键。在众多电机驱动方案中，PWM(脉宽调制)驱动MOS管H桥电路因其高效率、灵活性和可靠性，成为直流电机控制的优选方案。
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ESD静电放电的产生原理详解
当两个物体之间由于摩擦、接触、分离等过程而产生电荷积累时，会在物体表面形成电场。如果在这个过程中，物体表面的电荷突然释放，就会产生静电放电现象。具体来说，当一个带有静电荷的物体(静电源)与另一个物体接触时，这两个具有不同静电电位的物体会依据电荷中和的原则，发生电荷流动，传送足够的电量以抵消电压。这个电量在传送过程中，会产生具有潜在破坏作用的电压、电流以及电磁场，严重时会将物体击毁。
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论垃圾分类与边缘计算的关系解析
边缘计算通过将数据处理从云端下沉到设备端，正在解决垃圾分类领域的关键痛点。在深圳宝安区的智慧社区，每栋楼宇都部署了边缘计算节点。当居民投放垃圾时，摄像头捕获的图像数据会在本地服务器完成识别，0.3秒内即可判断垃圾类别，准确率高达98.7%。这种"即时决策"能力，比传统云端处理模式快了15倍，同时降低了70%的数据传输成本。
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一文深度解读二极管限幅电路和钳位电路
限幅电路的核心功能是限制信号的幅度范围，当输入信号超出预设阈值时，通过二极管导通或截止特性将信号幅度限制在特定范围内。根据工作模式的不同，限幅电路可分为正向限幅、负向限幅和双向限幅三种类型。
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干货分享！单片机应用系统的可靠性设计
单片机作为嵌入式系统的核心，广泛应用于工业控制、智能家居、医疗设备等领域。其可靠性直接关系到整个系统的稳定运行和安全性。然而，单片机应用系统常面临电磁干扰、电源波动、环境温度变化等挑战，导致数据错误、程序跑飞甚至硬件损坏。
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二极管单向导通的原因之深入理解单向导电特性
二极管作为电子电路中最基础的元器件之一，其核心特性是单向导电性。这种特性使得电流只能从阳极(正极)流向阴极(负极)，而反向时几乎不导通。这一特性在整流、信号调制、电路保护等应用中发挥着关键作用。
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PCB设计中叠层设计详解
在高速数字电路和射频设计中，PCB叠层设计已成为决定系统性能的关键因素。随着信号频率突破GHz门槛，传统"布线优先"的设计理念已无法满足现代电子产品的需求。
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一文教你开关电源PCB布线设计技巧
在开关电源设计中，电磁干扰(EMI)问题已成为影响产品可靠性和合规性的关键因素。随着电子设备向高频化、紧凑化发展，EMI问题愈发突出。
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怎样安全传输存储用户密码？
在现代数字生态系统中，用户密码作为访问控制的核心要素，其安全传输与存储直接关系到企业数据资产和用户隐私的防护水平。随着网络攻击手段的不断演进，传统的密码管理方法已难以应对新型威胁。
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TrendForce集邦咨询: 錼创科技将并购Lumiode，以加速近眼显示Micro LED发展
Dec. 19, 2025 ---- PlayNitride (錼创科技)董事会于12月16日公告表示，将以200万美元收购美国Lumiode Inc.之100%股权。TrendForce集邦咨询分析，Lumiode已成立十年，这项并购案将有助PlayNitride在扩张技术与专利版图的同时，获取更多北美客户以及销售渠道，从而提升该公司在近眼显示与医疗等非显示应用的国际竞争力。
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TrendForce集邦咨询: DDR5高获利放大产能排挤效应，2026年HBM3e定价动能同步转强
Dec. 18, 2025 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新调查，近期因存储器市况呈现供不应求，带动一般型DRAM(Conventional DRAM)价格急速攀升，尽管HBM3e受惠于GPU、ASIC订单同步上修，价格也随之走扬，但是预期未来一年HBM3e和DDR5的平均销售价格(ASP)差距仍将明显收敛。
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