• TrendForce集邦咨询: 2Q26全球前五大NAND Flash品牌合计营收季增77%，达688.7亿美元

    Aug. 18, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新NAND Flash产业研究，2026年第二季AI Server采购力度维持稳健，尤其Enterprise SSD需求旺盛，导致整体NAND Flash市场供不应求，原厂得以借由议价机制大幅调涨产品平均销售单价(ASP)。因此，在已上市NAND Flash品牌中，前五大厂商合计营收季增77%，达688.7亿美元。

    TrendForce集邦咨询
    2026-08-18
    NAND Flash SSD AI

  • TrendForce集邦咨询: 液冷散热成高端AI基础设施标配，预估2026年渗透率可达53%

    Aug. 17, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新AI Server产业研究，在AI基础设施的建设浪潮下，以NVIDIA、AMD、Google为首的AI芯片持续迭代，单芯片的热设计功耗(TDP)普遍已超越1kW，整柜式AI Server方案的功率更攀升至数百kW，液冷散热逐步成为高端AI基础设施的标准配置。TrendForce集邦咨询预估，2026年液冷在AI芯片的渗透率将达53%，2027年有望逼近60%。

    TrendForce集邦咨询
    2026-08-17
    加速器 AI芯片 AI基础设施

  • TrendForce集邦咨询: 2Q26全球OLED显示器出货季增26.1%，电商节促销与电竞需求推动市场升温

    Aug. 13, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新调查，2026年第二季全球OLED显示器市场展现强劲的成长韧性。在各大品牌厂商陆续推出新机种、带动整体出货量的同时，适逢“618”年度大型电商节庆促销档期的拉货效益加持，加上市场主力27英寸QHD规格机种持续渗透与积极推广，整体产业链动能全面升温。

    TrendForce集邦咨询
    2026-08-13
    产业链 显示器 OLED

  • TrendForce集邦咨询: 全固态电池进入工程验证期，全球主流厂商加速车规测试与多领域落地

    Aug. 12, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新《全球固态电池产业发展动态季报_2Q26》，2026年全固态电池(ASSB)产业迈入工程化验证的关键期，Toyota(丰田)、Honda(本田)、Nissan(日产)、Samsung SDI(三星SDI)等厂商的ASSB小规模试产进度小幅领先，日系厂商的车规产品已于部分性能指标得到验证确认，正加速推进车载ASSB模组的性能评估。

    TrendForce集邦咨询
    2026-08-12
    机器人 固态电池 硫化锂

  • TrendForce集邦咨询: 星链V3卫星部署助力，预估2028年全球卫星火箭发射市场规模将达404亿美元

    Aug. 11, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新卫星产业研究，Starlink(星链)近期完成首批V3卫星部署，借由搭载2,048阵列单元的超大相位阵列天线、降低轨道高度等举措，可提供极低延迟带宽和手机直连卫星服务。随着V3卫星将迈入规模部署，对Starlink母公司SpaceX的发射任务需求逐步成长，预计将带动全球卫星火箭发射市场规模于2028年上升至404亿美元。

    TrendForce集邦咨询
    2026-08-11
    功率放大器 卫星 氮化镓

  • TrendForce集邦咨询: 预估iPhone 18 Pro成本大增近40%，苹果或调整毛利策略以稳健出货

    Aug. 10, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新手机产业研究，由于以存储器为首的零部件价格上涨，推升Apple(苹果)将发布的iPhone 18系列整机成本。以该系列的256GB版本BOM(物料清单)成本为例，预估年增幅度达38%左右，整机售价势必提高。为避免影响消费者购买意愿，Apple可能借由降低毛利的方式控制售价涨幅，以换取市占扩张。

    TrendForce集邦咨询
    2026-08-10
    苹果 存储器 iPhone 18 Pro

  • TrendForce集邦咨询: 台系面板厂调整产能结构，2028年将重塑电视、显示器、笔记本电脑三大面板供需版图

    Aug. 3, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新面板产业分析，伴随产能持续收敛及产业格局的变化，预估至2028年，Innolux(群创光电)、AUO(友达光电)于液晶显示器面板的合计供给占比将跌破10%，在液晶笔记本电脑面板的供给则持续减少至近20%，液晶电视面板因仍保持利润，预估供给比例将维持在22%左右。近期台厂连串的产能收敛与资产活化动作，不仅是企业体质的脱胎换骨，更将成为牵动未来全球液晶电视、显示器与笔记本电脑面板供需重塑的关键变量。

    TrendForce集邦咨询
    2026-08-04
    液晶电视 显示器 笔记本

  • TrendForce集邦咨询: 2027年DRAM供给持续紧张，英伟达评估下调Rubin Ultra HBM配置

    Aug. 4, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，由于DRAM供不应求格局将延续至2027年，而且原厂HBM4e的验证进度存在变量，自2026年第三季起，NVIDIA(英伟达)对Rubin Ultra的HBM配置已从HBM4e 12hi，改为并行评估HBM4e 8hi、HBM4 12hi、HBM4 8hi等设计，目前尚未定案。除了NVIDIA外，部分云端服务供应商(CSP)也正考虑调降下一代自研ASIC的HBM容量设计。

    TrendForce集邦咨询
    2026-08-04
    DRAM 存储器 ASIC

  • TrendForce集邦咨询: CSP资本支出预计增长90%，2026年AI服务器出货量增幅上调至近31%

    Aug. 3, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新AI Server产业研究，在AI基础建设需求高涨的背景下，2026年全球九大云端服务供应商(CSP)总资本支出预估将同比增长约90%。近期超大型CSP、Tier-2数据中心业者对NVIDIA(英伟达)GB/VR等整柜式AI Server方案的采购意愿明显提高，而且Google(谷歌)、AWS(亚马逊云科技)新一代ASIC平台于2026年下半年陆续放量，加上中系业者扩大采用本土AI方案以满足云端大语言模型(LLM)AI需求，促使TrendForce集邦咨询上调2026年AI Server出货年成长幅度，从原先的28%更新为近31%。

    TrendForce集邦咨询
    2026-08-03
    数据中心 AI服务器 大语言模型

  • 堆与栈反向增长：操作系统内存布局的深层设计逻辑

    在计算机基础原理的学习过程中，很多开发者都会接触到一个经典结论：进程的虚拟地址空间里，堆和栈的增长方向通常是相反的。栈从高地址向低地址延伸，堆从低地址向高地址扩张，两者在地址空间里相向而行，中间留出一大片可供动态分配的空白区域。不少人第一次看到这个布局时，只会把它当成操作系统约定俗成的设计惯例，死记硬背下来应付面试，很少有人深入追问这个设计背后的底层逻辑。直到实际开发中遇到内存溢出、栈溢出、野指针破坏堆内存这类棘手问题时，才会发现这个看似不起眼的反向增长设计，从几十年前的早期计算机时代延续至今，绝非随意的技术选择，而是无数工程师在资源极度受限的环境下，反复试错打磨出的最优方案。它深刻影响着进程的内存利用率、运行稳定性，甚至是程序的安全边界，背后藏着整个操作系统内存管理体系的核心设计智慧。

    技术前线
    2026-08-03
    栈 堆

  • 详解快速排序与STL sort算法的设计精髓

    在排序算法的发展历程中，快速排序是一个绕不开的里程碑。从1960年代被提出至今，它始终是工业界最主流的通用排序方案，而STL中的sort算法更是在经典快排的基础上做了大量工程级优化，成为C++标准库中性能标杆级的实现。很多开发者只知道STL sort比手写的普通快排快很多，却很少深究背后的设计逻辑：为什么经典快排在极端场景下会退化到平方级复杂度?STL sort到底做了哪些针对性优化，让它在几乎所有场景下都能保持稳定的高性能?理解这些细节，我们才能跳出“背算法模板”的层面，真正体会到工业级算法在理论最优和工程落地之间的精妙平衡。

    技术前线
    2026-08-03
    排序 排序算法

  • 三相维也纳PFC的损耗和热设计全程

    在中大功率三相有源功率因数校正领域，三相维也纳PFC拓扑凭借高功率密度、低器件应力、高可靠性的突出优势，已经成为充电桩、工业电源、储能变流器前级的主流选择。不同于传统的两电平、三电平PFC拓扑，维也纳拓扑的特殊结构让其功率器件的损耗分布呈现出独有的特征，对应的热设计逻辑也和常规拓扑有明显区别。很多工程师在开发过程中，经常出现损耗估算不准、热点温度超标、热设计冗余不合理的问题，要么整机体积和成本失控，要么长期运行可靠性不足。理清维也纳PFC的功率器件损耗构成，掌握贴合实际工况的损耗估算方法，做好针对性的热设计，是保证整机在全工况下长期稳定运行的核心前提。

    技术前线
    2026-08-03
    拓扑 三相维也纳PFC

  • SiC MOSFET跨导gm对器件与系统性能的影响

    在碳化硅功率器件大规模普及的当下，SiC MOSFET的跨导gm已经成为器件选型和系统设计中不可忽视的核心参数，它直接决定了器件的开关特性、导通性能和长期运行可靠性。很多工程师在选型时往往只关注耐压、导通电阻这些显性参数，忽略跨导gm的深层影响，最终出现开关速度失控、驱动振荡、损耗超标甚至器件意外损坏的问题。理清SiC MOSFET跨导gm的物理本质，明确它对器件全工况性能的影响逻辑，是充分发挥碳化硅器件性能优势、搭建高可靠高性能功率变换系统的关键前提。

    技术前线
    2026-08-03
    碳化硅功率器件 SiC MOSFET

  • NPC与ANPC三电平逆变器拓扑核心原理

    在中高压大功率电力电子场景中，三电平逆变器凭借输出谐波低、器件应力小的核心优势，已经逐步取代传统两电平逆变器成为主流技术路线。其中传统NPC中性点钳位拓扑和新一代ANPC有源中性点钳位拓扑，是当前应用最广泛的两类三电平架构，二者的核心设计逻辑一脉相承，但在器件损耗分布、动态均压能力、运行可靠性上存在显著差异。很多工程设计人员在选型时容易混淆两类拓扑的适用边界，出现拓扑和场景不匹配的问题，导致系统效率不达预期、器件提前老化失效。理清两类三电平拓扑的底层工作原理、运行特性差异和场景适配逻辑，是搭建高性能、高可靠中高压大功率变换系统的核心基础。

    技术前线
    2026-08-03
    逆变器 高压变频

  • 功率MOSFET核心参数全流程测试体系构建

    在新能源汽车电驱、高频储能变流器、快充电源等大功率电力电子系统中，功率MOSFET的实测参数精度直接决定整机的效率上限与长期可靠性。大量工程案例显示，近四成的批量生产故障源于器件选型阶段仅依赖 datasheet 标称值开展设计，未完成全流程的实测验证，最终出现导通损耗超标、动态开关失效、热应力过载等问题。构建覆盖全工况的功率MOSFET核心参数测试体系，从静态特性、动态开关特性到热性能完成逐层验证，是规避器件适配风险、保障系统稳定运行的核心前提。

    技术前线
    2026-08-03
    功率MOSFET 高频储能变流器
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