在电子技术的浩瀚星空中,电容如同一位低调而不可或缺的守望者,默默地在电路中扮演着能量存储与信号调节的关键角色。从微小的手机到庞大的电力系统,电容的身影无处不在,其重要性不言而喻。
Jan. 9, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新调查,受惠于新能源车[注1]市场成长,2025年第三季全球电动车[注2]牵引逆变器总装机量达835万台,年增22%。纯电动车(BEV)及插电混合式电动车(PHEV)为主要动能来源,装机成长率分别为36%和13.6%。
Jan. 8, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新调查,NVIDIA(英伟达)于2025年第三季调整Rubin平台的HBM4规格,上修对Speed per Pin的要求至高于11Gbps,致使三大HBM供应商需修正设计。此外,AI热潮刺激NVIDIA前一代Blackwell产品需求优于预期,Rubin平台量产时程顺势调整。两项因素皆导致HBM4放量时间点延后,预期最快于2026年第一季末进入量产。
Jan. 7, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新研究,随着国际主要NAND Flash制造商退出或减少MLC NAND Flash生产,并集中资本支出与研发资源在先进制程,预估2026年全球MLC NAND Flash产能将年减41.7%,供需失衡情况加剧。
Jan. 6, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新调查,由于中国农历春节将于二月来临,BOE(京东方)、TCL CSOT(华星)和HKC(惠科)等三大LCD电视面板厂均规划针对后端模组厂实施五至十天的停产,以降低人力成本及后续库存升高风险,前端产线将同步进行减产。预估第一季整体LCD电视面板稼动率将季减3.5个百分点至87.7%,供需转为偏紧格局。
根据TrendForce集邦咨询最新调查,2026年第一季由于DRAM原厂大规模转移先进制程、新产能至Server、HBM应用,以满足AI Server需求,导致其他市场供给严重紧缩,预估整体一般型DRAM(Conventional DRAM)合约价将季增55-60%。NAND Flash则因原厂控管产能,和Server强劲拉货排挤其他应用,预计各类产品合约价持续上涨33-38%。
Dec. 31, 2025 ---- TCL CSOT(TCL华星)近日成功竞得兆元光电80%股权和相关债权,TrendForce集邦咨询表示,此次收购标志着TCL CSOT正式进入LED芯片领域,完成从上游芯片到下游Mini LED显示应用的供应链布局。自2018年以来,Samsung(三星)、AUO(友达)、Hisense(海信)、BOE(京东方)、Innolux(群创)和HKC(惠科)等多家品牌、面板厂已陆续推动类似并购或投资案,以此深化产业垂直整合趋势。
Dec. 30, 2025 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新调查,在整体经济复苏力道有限、消费行为趋于保守的背景下,快速上升的存储器价格正持续侵蚀笔电品牌的获利及定价弹性。因此,TrendForce集邦咨询再度下调2026年全球笔电出货预估至年减5.4%,降至近1.73亿台,以反映品牌面对成本压力扩大,对库存、促销与产品配置采取的保守态度。
Dec. 29, 2025 ---- 视涯科技(SeeYA)IPO申请近日获得上海市证券交易所审核通过,拟募资20.15亿元人民币,用于扩建OLEDoS 显示器产线与研发中心。根据TrendForce集邦咨询统计,AR、VR、MR等近眼显示装置对OLEDoS微显示器的需求有望于2030年达到3,150万片,2025至2030年复合成长率(CAGR)高达81%。
随着嵌入式系统和实时系统的发展,对中断安全和线程安全的要求越来越高。未来,随着硬件技术的进步(如多核处理器、硬件原子操作的支持),以及编程语言和工具链的完善(如C11标准的原子操作支持),编写安全的中断服务程序将变得更加容易。同时,形式化验证和静态分析工具的发展也将有助于在开发阶段发现潜在的中断安全问题。
在电子设备中,铝电解电容以其高容量、低成本和小体积的优势,广泛应用于电源滤波、信号耦合和储能等场景。然而,其极性特性要求在使用时必须严格区分正负极,否则可能导致电容失效甚至爆炸。
在工业自动化和物联网的浪潮中,串行通信协议如RS232和RS485扮演着关键角色。尽管它们同属串行通信标准,但在设计理念、应用场景和性能表现上存在显著差异。
在电子工业中,负电压轨的需求日益增长,尤其在通信电源、笔记本适配器和工业传感器系统中。传统的正电压设计难以满足这些应用对参考电压或偏置电压的特殊要求。
在嵌入式系统设计中,单片机通过模数转换器(ADC)读取外部电压信号是常见的应用场景。然而,阻抗匹配问题常导致测量误差,成为工程师的“隐形陷阱”。
在高速电子系统设计中,PCB走线角度的选择直接关系到信号完整性、电磁兼容性(EMI)和制造良率。随着信号频率从MHz级跃升至GHz级,走线拐角处的阻抗突变、辐射损耗和工艺缺陷等问题日益凸显。