• DMA方式概述

    DMA方式,Direct Memory Access,也称为成组数据传送方式,有时也称为直接内存操作。DMA方式在数据传送过程中,没有保存现场、恢复现场之类的工作。由于CPU根本不参加传送操作,因此就省去了CPU取指令、取数、送数等操作。内存地址修改、传送字 个数的计数等等,也不是由软件实现,而是用硬件线路直接实现的。所以DMA方式能满足高速I/O设备的要求,也有利于CPU效率的发挥。

  • 直接存储器概述

    直接存储器存取是一种高速数据传输的方法,数据可以从一个通道,不经过CPU的处理就直接在存储器或输入输出设备之间进行传输。

  • PnP定义及解析

    PnP全称Plug-and-Play,译文为即插即用。PnP的作用是自动配置低层计算机中的板卡和其他设备,然后告诉对应设备都做了什么。PnP的任务是把物理设备和软件设备驱动程序相配合,并操作设备,在每个设备和它的驱动程序之间建立通信信道。然后,PnP分配下列资源给设备和硬件:I/O地址、IRQ、DMA通道和内存段。

  • 双极性晶体管的发展及分析方法

    1947年12月,贝尔实验室的约翰·巴丁、沃尔特·豪泽·布喇顿在威廉·肖克利的指导下共同发明了点接触形式的双极性晶体管。

  • 双极性晶体管概述

    双极性晶体管(英语:bipolar transistor),全称双极性结型晶体管(bipolar junction transistor, BJT),俗称三极管,是一种具有三个终端的电子器件,由三部分掺杂程度不同的半导体制成,晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。这种晶体管的工作,同时涉及电子和空穴两种载流子的流动,因此它被称为双极性的,所以也称双极性载流子晶体管。

  • 三项电压概述

    每根相线(火线)与中性线(零线)间的电压叫相电压,其有效值用UA、UB、UC表示;相线间的电压叫线电压,其有效值用UAB、UBC、UCA表示。因为三相交流电源的三个线圈产生的交流电压相位相差120°,三个线圈作星形连接时,线电压等于相电压的根号3倍。我们通常讲的电压是220伏,380伏,就是三相四线制供电时的相电压和线电压。

  • 三相电源概述

    三相电源是主板上的电源路数,也就是常常说的几相供电。3相供电是指电脑主板电源的相数。最多可以达到8相供电。

  • 非线性电路概述

    非线性电路是指含有非线性元件的电路。这里的非线性元件不包括独立电源。非线性元器件在电工中得到广泛应用。非线性电路的研究和其他学科的非线性问题的研究相互促进。含有除独立电源之外的非线性元件的电路。电工中常利用某些元器件的非线性。这里的非线性元件不包括独立电源。

  • 半导体芯片

    半导体芯片:在半导体片材上进行浸蚀,布线,制成的能实现某种功能的半导体器件。不只是硅芯片,常见的还包括砷化镓(砷化镓有毒,所以一些劣质电路板不要好奇分解它),锗等半导体材料。半导体也像汽车有潮流。二十世纪七十年代,因特尔等美国企业在动态随机存取内存(D-RAM)市场占上风。但由于大型计算机的出现,需要高性能D-RAM的二十世纪八十年代,日本企业名列前茅。

  • 厚膜集成电路应用及工艺

    厚膜集成电路是指用丝网印刷和烧结等厚膜工艺在同一基片上制作无源网络,并在其上组装分立的半导体器件芯片或单片集成电路或微型元件,再外加封装而成的混合集成电路。厚膜混合集成电路是一种微型电子功能部件。

  • 微电子芯片概述

    微芯片是由杰克·基尔比(Jack Kilby)在1958年9月12日发明的,这个装置揭开了人类二十世纪电子革命的序幕,同时宣告了数字时代的来临。微芯片是采用微电子技术制成的集成电路芯片,它已发展到进入千兆(芯片GSI)时代。

  • 晶片概述

    晶片是LED最主要的原物料之一,是LED的发光部件,LED最核心的部分,晶片的好坏将直接决定LED的性能。晶片是由是由Ⅲ和Ⅴ族复合半导体物质构成。在LED封装时,晶片来料呈整齐排列在晶片膜上。

  • 磁芯存储器的构成及相关描述

    术语“核心”来自传统的变压器,其绕组环绕磁芯。 在核心存储器中,导线通过任何给定的核心 - 它们是单圈设备。 用于存储器核心的材料的性质与用于电力变压器的材料的性质显着不同。 用于核心存储器的磁性材料需要高度的磁剩磁,保持高度磁化的能力和低矫顽力,从而需要更少的能量来改变磁化方向。 核心可以采用两种状态,编码一位,当“感应线”“选择”时可以读取。 即使存储器系统断电(非易失性存储器),核心存储器内容也会保留。 但是,当读取内核时,它会重置为“零”值。 然后,计算机存储器系统中的电路在立即重写周期中恢复信息。

  • 磁芯存储器概述

    磁芯存储器是随机存取计算机存储器的主要形式,存在20年。这种存储器通常被称为核心存储器,或者非正式地称为核心存储器。核心使用微小的磁环(环),核心通过线程来写入和读取信息。 每个核心代表一点信息。 磁芯可以以两种不同的方式(顺时针或逆时针)磁化,存储在磁芯中的位为零或一,取决于磁芯的磁化方向。 布线被布置成允许单个芯被设置为1或0,并且通过向所选择的导线发送适当的电流脉冲来改变其磁化。 读取内核的过程会导致内核重置为零,从而将其擦除。 这称为破坏性读数。 在不进行读写操作时,即使关闭电源,内核也会保持最后的值。 这使它们成为非易失性的。

  • 闪存的发展历史

    发展历史在1984年,东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器(此处简称闪存)的概念。

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