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微型记忆卡接口芯片（ST）
时间：2007-10-28 02:41:00
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[导读]意法半导体（ST)推出一个高集成度的微型记忆卡接口芯片，新产品采用世界领先的IPAD™ (有源和无源器件集成)技术，内置可插拔SD（安全数字）记忆卡接口所需的五个基本功能，适用于带有SD接口的手机、GPS导航设备、数码相机等各种消费类和工业类产品。
意法半导体（ST)推出一个高集成度的微型记忆卡接口芯片，新产品采用世界领先的IPAD™ (有源和无源器件集成)技术，内置可插拔SD（安全数字）记忆卡接口所需的五个基本功能，适用于带有SD接口的手机、GPS导航设备、数码相机等各种消费类和工业类产品。新的倒装片封的EMIF06-SD02F3记忆卡收发器集成了信号调节、双向电平转换、ESD（静电放电）保护、EMI (电磁干扰)过滤单元和一个2.9V稳压器。
在一个单片内集成这些电路有助于提高系统的可靠性，同时比分立器件解决方案节省电路板空间75%以上。EMIF06-SD02F3占用电路板面积不到7平方毫米，具有相同功能的分立器件解决方案需要大约30平方毫米，同时新产品还简化了目标应用的产品设计和电路布局。
该芯片符合标准的和高速SD接口协议标准，以及MiniSD、MMC和uSD/TransFlash标准。新产品的特性包括一个先进的ESD保护电路、高效EMI过滤电路和上拉/下拉电阻，其中ESD保护电路用于保护外部的裸露的记忆卡插槽，EMI过滤电路用于防止射频干扰数据线路，上拉和下拉电阻用于防止出现悬空的数据线路。卡侧ESD保护电路符合严格的IEC61000-4-2 的四级保护标准，即空气放电15kV。EMI滤波器工作频率800MHz到3GHz，在1GHz频率下，衰减性能超过20dB。
此外，该芯片还提供六个高速双向电平转换器，它们的工作频率50MHz，典型传播延迟3ns，能够把2.9V的记忆卡连接到1.8V主处理器。1.5ns的通道间最大延迟差确保数据的一致性，并针对低功耗应用优化了驱动器，静态断态电路取得了1微安的好成绩。
记忆卡的电源是由一个2.9V片上低压降(LDO) CMOS稳压器提供的，输出电流 200mA，输入电压范围3.1V到5V。当200mA负载时，最大压降100mV。新产品还提供一个关断控制引脚，该引脚的导通时间很短，仅为30μs，这个特性有助于最大限度降低产品的功耗，延长电池使用时间。稳压器包括一个热关断、低压锁定和短路保护功能。
EMIF06-SD02F3采用一个24焊球的微型无铅封装，焊球间距400微米，新产品现已投入量产。订购100万只，单价1.10美元；订购100万到500万只，单价0.95美元。
在一个单片内集成这些电路有助于提高系统的可靠性，同时比分立器件解决方案节省电路板空间75%以上。EMIF06-SD02F3占用电路板面积不到7平方毫米，具有相同功能的分立器件解决方案需要大约30平方毫米，同时新产品还简化了目标应用的产品设计和电路布局。
该芯片符合标准的和高速SD接口协议标准，以及MiniSD、MMC和uSD/TransFlash标准。新产品的特性包括一个先进的ESD保护电路、高效EMI过滤电路和上拉/下拉电阻，其中ESD保护电路用于保护外部的裸露的记忆卡插槽，EMI过滤电路用于防止射频干扰数据线路，上拉和下拉电阻用于防止出现悬空的数据线路。卡侧ESD保护电路符合严格的IEC61000-4-2 的四级保护标准，即空气放电15kV。EMI滤波器工作频率800MHz到3GHz，在1GHz频率下，衰减性能超过20dB。
此外，该芯片还提供六个高速双向电平转换器，它们的工作频率50MHz，典型传播延迟3ns，能够把2.9V的记忆卡连接到1.8V主处理器。1.5ns的通道间最大延迟差确保数据的一致性，并针对低功耗应用优化了驱动器，静态断态电路取得了1微安的好成绩。
记忆卡的电源是由一个2.9V片上低压降(LDO) CMOS稳压器提供的，输出电流 200mA，输入电压范围3.1V到5V。当200mA负载时，最大压降100mV。新产品还提供一个关断控制引脚，该引脚的导通时间很短，仅为30μs，这个特性有助于最大限度降低产品的功耗，延长电池使用时间。稳压器包括一个热关断、低压锁定和短路保护功能。
EMIF06-SD02F3采用一个24焊球的微型无铅封装，焊球间距400微米，新产品现已投入量产。订购100万只，单价1.10美元；订购100万到500万只，单价0.95美元。
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