TPS79918 RF LDO可支持向StrataFlash嵌入式存储器（P30）的升级
时间：2018-11-29 14:40:01
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[导读]德州仪器TPS79918LDO|0">低压降线性稳压器（LDO）可为英特尔（Intel）新型StrataFlash P30嵌入式存储器提供核心动力所需的性能。Intel正在将其采用0.18微米工艺的第三代Str
德州仪器TPS79918LDO|0">低压降线性稳压器（LDO）可为英特尔（Intel）新型StrataFlash P30嵌入式存储器提供核心动力所需的性能。Intel正在将其采用0.18微米工艺的第三代StrataFlash嵌入式存储器（J3）升级至采用0.13微米的第四代StrataFlash嵌入式存储器（P30）。此新型嵌入式存储器已将所需VCC电压降至1.8V，因此存储器从J3升级至P30可使得系统的总体工作电流消耗较低。Intel在其应用手册AP812中建议使用LDO提供新的1.8V电压轨。
TPS79918 RF LDO可支持向StrataFlash嵌入式存储器（P30）的升级
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