半导体业者竞相开发高整合LED驱动器 高压MOS产能吃紧

半导体业者竞相开发高整合度发光二极体(LED)照明驱动IC方案。在高压金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)产能吃紧之下，LED照明系统商正面临出货递延的窘境，因此晶片商正加紧发表整合高压MOSFET的LED照明驱动IC方案，让LED照明系统客户免于高压MOSFET缺货之苦。

恩智浦区域市场总监王永斌表示，调光与非调光LED驱动IC和LED灯具的谐振控制器皆需要高压MOSFET，因此恩智浦将透过高整合LED驱动IC方案确保客户掌握货源无虞。

恩智浦(NXP)区域市场总监王永斌表示，2013年LED照明市场将会更加蓬勃发展，然目前LED照明系统开发商却因为高压MOSFET严重缺货，而陷入拥有众多订单却无法出货的困境，难以在市场上大施拳脚。

为避免因高压MOSFET供货不足影响市场扩展进度，包括恩智浦、意法半导体(ST)、包尔英特(PI)等晶片制造商，已纷纷推出整合高压MOSFET的LED照明驱动IC方案，以确保客户LED照明产品出货无虞，同时借机壮大在LED照明驱动IC的市场版图。

恩智浦大中华区照明产品市场经理张伟超指出，为生产整合高压MOSFET的LED照明驱动IC，须具备高压制程，不过，囿于高压制程技术门槛过高，并非所有的晶片商皆有能力发展，因此预期在此波缺货风潮下，恐将出现LED照明驱动IC供应商势力消长的态势。

为大举插旗高整合度LED驱动IC方案市场，王永斌强调，恩智浦已将原先SOI-HV高压制程转换为更适用于LED照明应用的ABCD3制程，预计2013年启动量产，该制程不仅更适合整合高压MOSFET，并可减少漏电流，同时省却LED照明应用不必要的功能，能量产出更高性价比的LED驱动IC产品。

除强化高压制程技术外，由于现阶段仅有意法半导体、东芝(Toshiba)及​​英飞凌(Infineon)等少数高压MOSFET制造商供货，因此为确保高整合方案能顺利开发，恩智浦也已做好万全的备料准备。

张伟超透露，恩智浦预估2012年下半年LED照明市场规模将急速扩张，因此已提早向高压MOSFET业者采购产品，现今能保证客户在六至八周内即可取得高整合度LED照明驱动IC方案，未来更将缩短至三至四周即可取货。此外，恩智浦亦有计画投资高压MOSFET厂商，以掌握更稳定的供货来源。