HIS：硅基氮化镓LED 2020年将占40%市场份额

据外媒EETasia报道，统计机构HIS预测称2020年硅基氮化镓LED市场占有率将达到40%，目前该种LED市场占有率仅为1%

据HIS的统计数据，硅基氮化镓(GaN-on-Si)晶片在LED市场2013-2020年间复合年渗透增长率将会达到69%，届时 40%的氮化镓LED将会以此工艺制造。今年95%的氮化镓LED由蓝宝石晶片制造，仅1%采用硅晶。硅基氮化镓在2013-2020年间的增长将会攫取蓝宝石及碳化硅晶片的市场份额。

“用蓝宝石制造大块的多晶硅块比较困难，而采用硅基工艺可以制造从8英寸到12英寸不等的硅晶片，且通常造价更便宜种类更丰富。”HIS照明与LED领域高级分析师Dkins Cho称。“目前有发达的硅基工业作为前导，基于硅的生产可以制造规模效益，降低LED成本。”

生产设施再利用以适应向硅基氮化镓LED的转变往往因投资较小而被接受。从前制造CMOS半导体已经拥有传统8英寸工艺，可以稍加改造从CMOS制造转变为LED。这些公司有内部的专业知识以及基于硅的生产技术。

“与传统LED厂商不同，许多CMOS半导体制造商都有良好的检测工艺，”Dkins Cho说。“这将有助于提高现场检测良品率。但是改造不可能在一夜之间完成，我们认为转变将在未来几年内发生。”