用于 Intel® IMVP6.5 平台的电源解决方案

电路图

设计注意事项

Intel 移动电压定位 6.5 (IMVP-6.5) 规范为使用此平台的 Intel® 处理器提供了电源管理信息。德州仪器 (TI) 提供的集成解决方案完全符合专门用在低功耗 CPU 和计算系统的 Intel 集成图形解决方案中的单相同步 DC/DC 降压稳压器。TI 电源管理产品中的高级控制功能包含用于加快瞬态响应、降低输出电容并提高工作效率的 D-CAP 架构和 OSR 过冲减降功能。其它重要功能包括 5 位图形 VID 渲染、可调节的 VCORE 转换率控制以及电压定位。

通过将功率 MOSFET CICLON NexFET™ 技术应用到 TI 电源管理系列，我们现在可以采用行业标准封装提供与极低栅电荷耦合的低导通电阻，该封装呈现了一种通过现有芯片平台才能实现的前所未有的组合。 NexFET 技术为 N 和 P 通道功率 MOSFET 设备提供了高性能。凭借高输出电流和低占空比，设计者可在从轻载到满载的过程中实现 90% 的供电效率，这标志着离散设计取得了巨大突破。

在不损耗功率的情况下使频率加倍

在用于计算、网络和服务器系统的同步降压转换器电源中，功率 MOSFET 对于提高 DC/DC 效率至关重要。与具有相同导通电阻的行业标准沟道式功率 MOSFET 相比，NexFET 技术所提供的电荷不及栅电荷 (Qg) 的一半。更低的电荷意味着转换器可以在维持相同功率损耗的情况下以更高的频率运行，或者在相同频率下以更高的效率运行。栅电荷的大量减少使电源开关频率实现潜在加倍，这将使电源输出滤波器的尺寸缩减一半，从而节省宝贵的电路板面积并减少组件数量，最终达到降低成本的目的。

更低的工作温度

NexFET 技术能使功率 MOSFET 更高效地运行(工作温度降低高达 30%)，同时还能让 MOSFET 驱动器以更低温度运行。最终结果是工作温度降低 15%，系统的整体可靠性必将得到提高。