当前位置:首页 > 模拟 > 模拟
[导读] Micron Technology近日宣布采用34nm工艺技术的NAND闪存芯片实现量产。Micron还称其子公司Lexar Media将推出34nm闪存卡和USB闪盘。 Micron和其伙伴Intel近期宣布通过合资公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在

Micron Technology近日宣布采用34nm工艺技术的NAND闪存芯片实现量产。Micron还称其子公司Lexar Media将推出34nm闪存卡和USB闪盘。

Micron和其伙伴Intel近期宣布通过合资公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在为2x nm技术做准备,计划于第四季度推出样品。

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

韩国存储芯片制造商SK海力士今日表示,该公司成功研发出全球首款业界最高层数的238层512Gb TLC(Triple Level Cell)4D闪存芯片(NAND)样品,该芯片将于明年上半年实现量产。据悉,SK海力士当天...

关键字: SK海力士 闪存芯片 芯片

爱思开海力士·英特尔DMTM半导体(大连)有限公司非易失性存储器项目在大连金普新区举行开工仪式。该项目将建设一座新的晶圆工厂,从事非易失性存储器3D NAND芯片产品的生产。全球领先的半导体供应商SK海力士已在中国市场深...

关键字: SK海力士 晶圆厂 闪存芯片

据统计,随着Intel闪存业务被SK海力士收购,韩国企业三星+SK海力士合计占市场份额已经超过50%。

关键字: 闪存 NAND闪存 三星 海力士

新闻概要 公司全球首发238层 512Gb TLC 4D NAND闪存,将于明年上半年投入量产 成功研发层数最高,面积最小的NAND闪存,并显著改善生产效率、数据传输速度、功耗等特性 "公司将持...

关键字: SK海力士 NAND闪存 CE LEVEL

(全球TMT2022年8月3日讯)SK海力士于8月3日宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell) 4D NAND闪存...

关键字: SK海力士 NAND闪存 芯片 SSD

推出全新的工业级 3D-TLC SDHC 和 SDXC 存储卡产品线

关键字: Swissbit SD 存储卡 闪存芯片

颠覆性技术的深远影响从根本上改变了人们的生活、工作和娱乐方式

关键字: KIOXIA铠侠 NAND闪存 半导体

2022年4月19日,中国武汉,长江存储科技有限责任公司(简称“长江存储”)宣布推出UFS 3.1通用闪存——UC023。这是长江存储为5G时代精心打造的一款高速闪存芯片,可广泛适用于高端旗舰智能手机、平板电脑、AR/V...

关键字: 长江存储 闪存芯片 5G

2022年4月8日,长江存储推出新款消费级固态硬盘产品致态TiPlus5000。该产品采用基于晶栈 2.0(Xtacking® 2.0)架构的长江存储第三代三维闪存芯片,支持PCIe Gen3x4接口、NVMe 1.3协...

关键字: 长江存储 固态硬盘 闪存芯片

据韩媒thelec报道,华为方面计划采购NAND闪存晶圆,自行完成测试封装工序,已为此筹建相关设施,或将于下半年开始量产。

关键字: 华为 5G NAND闪存

模拟

31144 篇文章

关注

发布文章

编辑精选

技术子站

关闭