三星研发针对移动设备20nm 4Gb LPDDR3内存

三星电子日前宣布，开始生产4GB容量低功耗LPDDR3芯片，采用20纳米级工艺技术。

新的4Gb LPDDR3移动芯片，可媲美PC中使用的标准型DRAM的性能水平，使其成为一个有吸引力的解决方案，为要求苛刻的下一代高性能智能手机和平板电脑等移动设备提供高密度多媒体存储。

4Gb LPDDR3的数据传输速度高达2133Mbp/每引脚，传输性能是之前移动内存标准LPDDR2 800Mbps的2倍以上。同时，和30纳米级的LPDDR3相比，新设备性能上提高了30%，同时功耗节省20%。

此外，通过采用三星的4Gb LPDDR3移动DRAM，原始设备制造商可以达成1个高度仅0.8mm的封包，其中包括四颗三星4Gb LPDDR3移动芯片。

三星还表示，将在2013年晚些时候，增加生产20纳米级的移动DRAM芯片。