英飞凌与GF合作开发40nm嵌入式闪存工艺

英飞凌科技与GLOBALFOUNDRIES 公司宣布，双方围绕40纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)工艺，签订一份合作技术开发与生产协议。双方合作的重点是立足于英飞凌的嵌入式闪存单元设计以及采用40纳米工艺制造汽车单片机和安全微控制器(MCU)的经验，进行相关技术的开发。GLOBALFOUNDRIES 公司旗下的多家晶圆厂将生产新一代40纳米嵌入式闪存MCU，其中新加坡的晶圆厂将成为第一个生产该类器件的晶圆厂，紧随其后的是公司位于德国德累斯顿的晶圆厂。

英飞凌科技管理委员会成员Arunjai Mittal指出：“利用40纳米工艺生产新一代嵌入式闪存微控制器，将会进一步提升我们在汽车、工业、芯片卡和安全等行业的竞争实力。我们十分信赖GLOBALFOUNDRIES公司，他们拥有丰富的制造经验，在全球各地设有多家晶圆厂，能够满足英飞凌严格的质量、设施安全和持续生产等要求。”

GLOBALFOUNDRIES首席执行官AjitManocha表示：“英飞凌选定GLOBALFOUNDRIES 作为其40纳米嵌入式闪存技术节点的晶圆代工厂，这是对我们利用分布于世界各地的多家晶圆厂为其提供统一制造解决方案这一独一无二的能力的充分认可。我们致力于凭借称雄业界的技术和生产能力，为英飞凌的业务发展提供大力支持。我们期待着与英飞凌建立长期合作，助其在快速发展的半导体行业取得更大成功。”

与GLOBALFOUNDRIES 签订合作协议，符合英飞凌合作开发65纳米及以下节点的CMOS工艺的战略。新一代安全微控制器的工艺和产品鉴定预计2015年下半年完成。40纳米汽车单片机有望于2017年上半年投产。

英飞凌与GLOBALFOUNDRIES 建立了长期的研发和生产合作关系，包括合作开发和生产基于CMOS的低功耗手机器件。