2017年20nm、16nm及以下的芯片先进工艺将成为主流

12月12日，工业和信息化部软件与集成电路促进中心（简称CSIP）主任邱善勤发布报告预测：到2017年20nm、16nm及以下的先进工艺将成为主流，这对我们设计业、制造业是一个很大的启示：我们怎么样适应全球先进工艺。

当天，由CSIP、南京市经信委等共同举办的2013年中国集成电路产业促进大会在南京隆重召开，邱善勤在致辞中作出上述预测。

邱善勤说：过去几年，我们比较先进的工艺还是保持在60nm、45nm，但是从2013年开始，28nm、32nm成为主流的先进工艺，特别是28nm，将每年保持高增长的态势。邱善勤预测：32nm、20nm是过渡型工艺，不是主流，到2017年20nm、16nm及以下的先进工艺将成为主流。

邱善勤预测：TSV（硅通孔封装）预计从2014年开始要有大的采用，TSV是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通,实现芯片之间互连的最新技术。这意味着一种新的工艺大量采用的情况下，芯片的集成度会越来越高，成本将逐渐下降。预计到2017年TSV将逐年加速增长，这一趋势的一个很大的启示：未来芯片将随着线宽越来越细，集成度越来越高。

邱善勤预测：2013年上半年呈下降趋势，但到了下半年明显增长，预示著明后年行业高速增长。2014年将趋于稳定，预计2012-2017年整个行业设备采购支出的年增长率将达到5%左右，与整个行业的增长率（预测亦为5%）是一致性的。