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[导读]2013年ICCAD年会上,中国IC设计分会理事长魏少军公布了2013年中国集成电路设计的相关数据:2013年中国IC设计的销售额将达142.19亿美元,比2012年增长28.5%。伴随着中国IC设计业的蓬勃发展,对EDA、IP和代工的需求也将

2013年ICCAD年会上,中国IC设计分会理事长魏少军公布了2013年中国集成电路设计的相关数据:2013年中国IC设计的销售额将达142.19亿美元,比2012年增长28.5%。伴随着中国IC设计业的蓬勃发展,对EDA、IP和代工的需求也将呈现不同的需求。本文是现场针对上游产业高层采访的总结。

EDA多样化发展,验证和IP领风骚

“未来IC设计师在芯片设计初期就需要有一个系统设计的概念,结合软件和硬件进行协同设计以及IP的集成。”Synopsys总裁暨共同执行长陈志宽说,“随着设计复杂度的提高,验证的重要性日显,IP的另一个价值在于缩短验证的时间。”随着先进工艺向20nm、16nm和14nm等不断推进,生产成本不断提高,完整的验证将显得至关重要。他表示:“Synopsys一直致力于为工程师提供一个统一的验证平台,包括调试、仿真、模拟、样机到虚拟样机,甚至对IP的整合。”最近Synopsys进行的几项收购,如SpringSoft,都是在向这一目标迈进。

MentorGraphics全球副总裁兼亚太区总裁彭启煌重点介绍了最新推出的HDMI2.0m模拟加速与仿真解决方案。MentorGraphics的Veloce平台在过去的一年中销售额成长了100%。该公司的发展规划也独具特色。“我们主要还是集中于开发工具方面,将强化市场占有率领先的产品,并扩展至相邻领域,即所谓的蓝海战略。”彭启煌表示。MentorGraphics在汽车、热量分析、流体力学分析等系统设计领域独具特色,“目前有超过30%的客户是系统客户,我们看好这些领域未来的发展。”

Cadence副总裁、中国区总经理刘国军表示:“Cadence一直在系统级(包括板级以及封装级)、软硬件协同设计方面持续投资,通过并购和自主研发来帮助客户应对将来的设计挑战。”Cadence在今年上半年收购Tensilica后,不断完善在IP应用领域的布局。“Cadence的IP区别于其它的IP提供商,我们的IP服务具有定制化、可优化以及软硬件协同集成的IP,未来Cadence在IP方面的发展策略将往先进工艺技术靠拢。”他总结道。

2013年,ARM中国合作伙伴的出货量预计会超过10亿片,实现历史性的突破。“这反映了中国产业核心竞争力的提升,而不是过去更多成本考量的模式。”ARM大中华区总裁吴雄昂总结到,“我们还会继续成功,基于两个原因:第一个是新兴市场,如智能手机;另一个是中国具有真正完整的产业链。我也一直在强调两岸的产业应该做更深一步的合作:今后几年高端精密制造业方面国内这一块不可能离开台湾产业的支持,同时,台湾产业链如果没有新兴市场的支持就没办法走下去。”

代工业的形势

“TSMC今年Q2与Q3获得强烈反弹,预计今年Q4与明年Q1会差一点。从过去两三年看来呈现相同的产能需求趋势。”TSMC中国业务发展副总经理罗镇球表示,“今年我们在推广20nm节点,28nm的总营收会是去年的3倍以上。从Q3的营收状态来看,28nm已经占了总营收的32%以上。”他预计在今年底至明年初,16纳米也会有客户的配套和审批。“大概今年TSMC的产能会比去年提高12%,其中,12寸的产能成长率约为17%。”他认为在不久的将来,云计算、物联网、穿戴式设备将成为亮点。

作为全球第二大的代工厂,GlobalFoundries最近在上海成立了子公司。中国区总经理韩志勇强调了其Foundry2.0的概念:“Foundry2.0的宗旨就是跟客户的配合要脱离掉以前传统的三段式的合作,在这三个阶段中实现并行工作,包括从EDA开始,到后端3D的封装。”

“40nm目前占营收约20%,”UMC副总经理王国雍介绍到,“业界很少在谈20nm,因为它在成本上面的优势基本上在28nm就可实现,甚至直接跳跃到用14nm。产业还在挑选正确的下一个先进节点。”以他的观点来看,有序经营成为公司发展的关键。UMC正在与IBM加强合作研发先进节点工艺,14nm目标2014年Q3,10nm应该是2015年底或2016年初。

成立于2010年,“909”项目之一的上海华力微电子有限公司目前的产能集中在55nm,预计40nm年底进入量产。“对于一些比较大型的客户,以通讯领域为例已经做到28nm,甚至做到了20nm。所以我们的策略方面有一个调整,以专用逻辑为主,通用逻辑为辅。”该公司副总裁舒奇描述了公司的定位,“我们的良率在今年12月预计会达到97%或更高。”

芯原股份有限公司董事长兼总裁戴伟民则更关注先进节点时代半导体制造成本不降反升的挑战。“这是第一次出现下一个节点没有成本下降的情况,”他说,“FD-SOI28nm可实现20nm的性能。当进入到LTE时代时需要更低功耗的工艺,尽管现在有不同的争议,但我们必须提前意识到这个问题。”

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