台DRAM厂4Q面临全亏危机
时间：2010-10-19 10:52:57
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[导读]南亚科和华亚科20日将打头阵召开法说，然力晶却抢先公布第3季财报，税后获利19.36亿元，若加计瑞晶获利，第3季获利可望逼近30亿元；南亚科和华亚科则因为50奈米制程转换，产出不如预期，加上DDR3价格慢性崩盘，使得2
南亚科和华亚科20日将打头阵召开法说，然力晶却抢先公布第3季财报，税后获利19.36亿元，若加计瑞晶获利，第3季获利可望逼近30亿元；南亚科和华亚科则因为50奈米制程转换，产出不如预期，加上DDR3价格慢性崩盘，使得2家公司第3季亏损分别逾20亿和30亿元。展望第4季，若1Gb芯片价格跌到1美元，2Gb芯片跌破2美元，这3家台DRAM厂恐将全数亏损。
力晶自结第3季(不含转投资瑞晶)营收250.24亿元，毛利率17.35%，营业净利率12.89%，税前获利22.91亿元、税后获利19.36亿元，换算每股税后0.34元；累计前3季税后约122.39亿元，每股获利2.22元。力晶转投资瑞晶第3季由于从65奈米转换至63奈米制程速度快，7月全数产出都已是63奈米制程产品，成本大幅下降20%，若加计瑞晶获利挹注，力晶第3季获利上看30亿元。
相较之下，南亚科和华亚科第3季财报则是持续亏损，亏损金额分别以20亿和30亿元起跳。南亚科和华亚科第3季财报不如预期，主要是受到50奈米制程转换影响。华亚科7、8月期间因为全数停止沟槽式制程，产出大幅减少，导致成本大幅提升，加上DDR3价格逐月慢性崩盘走势，使得南亚科和华亚科第3季亏损都将较第2季扩大。
?o注意的是，由于1Gb容量DDR3芯片报价已跌破2美元，10月上旬2GB容量DDR3模块报价又再重挫6~9%，这种慢性崩盘趋势将一路持续至2010年底，预期年底1Gb容量DDR3芯片恐往1美元靠拢，2Gb芯片价格则约2美元，届时全球能获利的DRAM厂除三星电子(SamsungElectronics)外，恐怕是寥寥可数。
华亚科第4季底12吋晶圆厂13万片产能将倾巢而出，可望大幅降低成本，虽然有利转亏为盈，但以其成本结构来看，若年底2Gb芯片价格力撑在2美元以上，第4季营运转盈才有机会，但若2Gb芯片价格跌破2美元，南亚科和华亚科第4季恐将持续面临亏损压力。
力晶第4季主要压力还是来自于现货价跌势，若力晶全?铳i63奈米制程，成本顶多撑在1.4美元附近，一旦1Gb价格往1美元靠拢，力晶亦将承受由盈转亏压力；至于瑞晶状况会好些，由于积极转进45奈米，2Gb芯片成本不到1.5美元，届时力晶可望获得瑞晶获利挹注。
力晶自结第3季(不含转投资瑞晶)营收250.24亿元，毛利率17.35%，营业净利率12.89%，税前获利22.91亿元、税后获利19.36亿元，换算每股税后0.34元；累计前3季税后约122.39亿元，每股获利2.22元。力晶转投资瑞晶第3季由于从65奈米转换至63奈米制程速度快，7月全数产出都已是63奈米制程产品，成本大幅下降20%，若加计瑞晶获利挹注，力晶第3季获利上看30亿元。
相较之下，南亚科和华亚科第3季财报则是持续亏损，亏损金额分别以20亿和30亿元起跳。南亚科和华亚科第3季财报不如预期，主要是受到50奈米制程转换影响。华亚科7、8月期间因为全数停止沟槽式制程，产出大幅减少，导致成本大幅提升，加上DDR3价格逐月慢性崩盘走势，使得南亚科和华亚科第3季亏损都将较第2季扩大。
?o注意的是，由于1Gb容量DDR3芯片报价已跌破2美元，10月上旬2GB容量DDR3模块报价又再重挫6~9%，这种慢性崩盘趋势将一路持续至2010年底，预期年底1Gb容量DDR3芯片恐往1美元靠拢，2Gb芯片价格则约2美元，届时全球能获利的DRAM厂除三星电子(SamsungElectronics)外，恐怕是寥寥可数。
华亚科第4季底12吋晶圆厂13万片产能将倾巢而出，可望大幅降低成本，虽然有利转亏为盈，但以其成本结构来看，若年底2Gb芯片价格力撑在2美元以上，第4季营运转盈才有机会，但若2Gb芯片价格跌破2美元，南亚科和华亚科第4季恐将持续面临亏损压力。
力晶第4季主要压力还是来自于现货价跌势，若力晶全?铳i63奈米制程，成本顶多撑在1.4美元附近，一旦1Gb价格往1美元靠拢，力晶亦将承受由盈转亏压力；至于瑞晶状况会好些，由于积极转进45奈米，2Gb芯片成本不到1.5美元，届时力晶可望获得瑞晶获利挹注。
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