4Q13全球DRAM产值续扬，连创5季新高

全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM产出虽受到SK海力士无锡大火影响而稍有略减，但供货吃紧下反而造成平均销售单价劲扬，因此4Q13全球DRAM产值再度攀高至约97.5亿美金，QoQ近5%。同时，前两大DRAM供货商的获利能力较上季皆有提升，其中获利差异点取决于各DRAM厂标准型内存的供给多寡。

TrendForce研究协理吴雅婷表示，就4Q13合约价格走势做观察，由于九月SK海力士受祝融波及而影响当下出货，DRAM4GB合约均价最高来到34美元价位，较火灾发生前上涨约二成，供货不足下主要PCOEM厂纷纷转向三星及美光要求紧急供货，亦是这波价格上涨受惠最多的厂商。其中三星受惠于25奈米制程开始放量，供货最充足，所以盘据成交价的高价部位，美光次之，SK海力士为避免客户流失，将合约价格放低，为这波涨价潮当中受惠最小的供货商。2013年DRAM总产值总计达到34.4亿美元，年成长约三成。

从全球DRAM厂自有品牌内存市占比例来观察，三星半导体与SK海力士半导体各为39%与24%，两者差距再进一步拉大。三星维持原先策略，标准型内存比重进一步提升，并意图持续扩大行动式内存对外采购比重；由于三星的25奈米已经顺利量产出货，相较于SK海力士的29奈米以及美光的30奈米，显然成本结构领先同业水平，在2014年平均销售单价可能缓跌的前提下，三星的营业利益仍旧可以维持20%水位，无疑为产业获利最高的厂商。SK海力士受无锡厂大火影响，其市占由3Q13的28.5%微幅下降至23.8%，营业利益也约略减少约5%。然而该公司倾全力恢复产出，预计产能流失的冲击可望在今年首季全面回复。

在本次第四季营收市占报告中，TrendForce第二次将美光与日商尔必达合并计算，综合市占为28.7%，正式超越SK海力士成为排名第二。除此之外，同时受惠于价格上扬与成本下降两项因素，营业利益的成长超过10%，为产业之冠。美光集团2014年目标为逐渐导入尔必达技术为主的20奈米，预计正式量产时程约落在年末，若站在标准型内存的角度观察，新美光集团的产出比例将占总产业的三分之一强，对该市场的影响力将大幅增加。

台系厂部分，南科也积极转进30nm制程，其投片量已来到总产能近八成，即使第四季停止从华亚科取得晶圆，在营收上仍有9.5%的季成长。力晶在DRAM营收上仅有6%的成长，除了力晶已转型为代工业务为主外，去年下半年启动的P3厂DRAM业务，也是属于代工性质，不受DRAM价格波动影响，亦无法带动DRAM营收继续往上攀升。华邦则是受到火灾转单效应与传统旺季需求，营收成长约9.7%，其中利基型内存的成长约为11%，行动式内存也有5%的成长，今年华邦除了提升投片量至38K外，提升46nm制程转进比重亦是今年的重点，生产成本降低将有助第一季的获利表现。

从市场面来观察，TrendForce认为无锡厂的复工状况为牵动未来价格走势的最主要关键；由于每年首季都是需求淡季，加上产出增加(三星的25奈米、美光的30奈米以及SK海力士无锡厂复工)，TrendForce仍维持原先的预估，价格将呈现缓跌态势，而跌幅将随着旺季来临而趋缓。后续获利能力的持盈保泰将有赖于制程转进，而产业供给面将有赖各DRAM厂商共同维持，不贸然进行扩厂计划；在以上前提成立之下，2014年的DRAM总产值可望进一步提升，并在后20nm时代来临之前为各家带来稳定的获利。