下一代FD-SOI制程将跳过20nm直冲14nm
时间：2012-12-17 11:28:13
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[导读]在一场近日于美国旧金山举行的FD-SOI(fullydepletedsilicononinsulator)技术研讨会上，产业组织SOIConsortium所展示的文件显示，FD-SOI制程技术蓝图现在直接跳过了20nm节点，直接往14nm、接着是10nm发展。根据SOICon
在一场近日于美国旧金山举行的FD-SOI(fullydepletedsilicononinsulator)技术研讨会上，产业组织SOIConsortium所展示的文件显示，FD-SOI制程技术蓝图现在直接跳过了20nm节点，直接往14nm、接着是10nm发展。
根据SOIConsortium执行总监HoracioMendez在该场会议上展示的投影片与评论指出，14nmFD-SOI技术问世的时间点约与英特尔(Intel)的14nmFinFET相当，而两者的性能表现差不多，FD-SOI的成本则应该会比FinFET低得多。
而意法半导体(STMicroelectronics，ST)前段制程部门执行副总裁JoelHartmann则在同一场由SOIConsortium举办的研讨会上，展示该公司FD-SOI制程将由28nm──2012下半年量产──跳过20nm，直接前进至14nm、然后10nm的技术蓝图。先前ST曾指出，该公司将在2012年7月推出28nmFD-SOI制程原型，然后会在2013年第三季推出20nmFD-SOI制程原型。
这意味着FD-SOI技术阵营已经改变了对20nm节点的策略，因此下一代的FD-SOI技术将与英特尔的14nmFinFET制程，以及包括台积电(TSMC)、Globalfoundries等晶圆代工厂所提供的其他FinFET制程，在同一节点上竞争。
Hartmann也提供了以ST的28nmFD-SOI制程与ST-Ericsson多核心ModApNovaThor处理器搭配，所量测到的最新性能结果；宣称ST的28nm闸极优先(gate-first)FD-SOI制程与28nmbulkCMOS制程相较，更能达到低功耗以及高性能。
SOIConsortium的Mendez展示的技术蓝图显示，FD-SOI现在包括预计2016年问世的10nm制程节点；而这也会是FD-SOI技术被引介为FinFET制程解决方案选项之一的节点。
根据SOIConsortium执行总监HoracioMendez在该场会议上展示的投影片与评论指出，14nmFD-SOI技术问世的时间点约与英特尔(Intel)的14nmFinFET相当，而两者的性能表现差不多，FD-SOI的成本则应该会比FinFET低得多。
而意法半导体(STMicroelectronics，ST)前段制程部门执行副总裁JoelHartmann则在同一场由SOIConsortium举办的研讨会上，展示该公司FD-SOI制程将由28nm──2012下半年量产──跳过20nm，直接前进至14nm、然后10nm的技术蓝图。先前ST曾指出，该公司将在2012年7月推出28nmFD-SOI制程原型，然后会在2013年第三季推出20nmFD-SOI制程原型。
这意味着FD-SOI技术阵营已经改变了对20nm节点的策略，因此下一代的FD-SOI技术将与英特尔的14nmFinFET制程，以及包括台积电(TSMC)、Globalfoundries等晶圆代工厂所提供的其他FinFET制程，在同一节点上竞争。
Hartmann也提供了以ST的28nmFD-SOI制程与ST-Ericsson多核心ModApNovaThor处理器搭配，所量测到的最新性能结果；宣称ST的28nm闸极优先(gate-first)FD-SOI制程与28nmbulkCMOS制程相较，更能达到低功耗以及高性能。
SOIConsortium的Mendez展示的技术蓝图显示，FD-SOI现在包括预计2016年问世的10nm制程节点；而这也会是FD-SOI技术被引介为FinFET制程解决方案选项之一的节点。
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