海力士成功运用硅穿孔技术制造16GbDRAM

时间：2011-03-11 14:13:22

关键字： DRAM 海力士 GB 6G

[导读]海力士9日对外宣布，成功运用硅穿孔(TSV)封装技术制成40纳米2GbDDR3DRAM+16GbDRAM，这是首度诞生单一封包内呈现高容量16Gb的产品。海力士称，该产品若制作成模块，最大可实现64GB的高容量，适合应用于需要大容量内存

海力士9日对外宣布，成功运用硅穿孔(TSV)封装技术制成40纳米2GbDDR3DRAM+16GbDRAM，这是首度诞生单一封包内呈现高容量16Gb的产品。海力士称，该产品若制作成模块，最大可实现64GB的高容量，适合应用于需要大容量内存的服务器或工作站。

若想要以多芯片封装(MultiChipPackage；MCP)或迭层封装(Packageonpackage；PoP)等打线接合(wirebonding)方式，堆栈DRAM呈现出高容量产品，则较为困难。

业界采用过去的堆栈芯片技术，将使线路过于繁杂，且有增大封包的缺点。海力士将芯片垂直堆栈，采TSV技术形成封包，可堆栈的数量为打线接合制程的2倍以上，且传输速度提升约50%、耗电量减少约40%。

海力士研究所长洪性柱表示，以TSV制造高容量内存的技术在未来2~3年内，将可能成为内存产业的核心技术。

TSV技术未来可望成为将内存芯片、系统芯片、图像传感器(ImageSensor)等统合至1个封包的核心技术。海力士计划2013年将以该产品制作成64GB模块并进行商用化，目前正在准备量产，并同时促进较行动DRAM速度快8倍的WideI/OTSV开发作业。