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DRAM供需待调整2011年下半走向平衡

时间：2010-11-26 13:45:14

关键字： DRAM GB 计算机尔必达

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[导读]南朝鲜军事紧张关系对于DRAM报价激励未产生实质性的帮助，市场还是回到供需面看待DRAM市场未来的前景；在DRAM供给端产出都集中在下半年，但个人计算机(PC)需求却旺季不旺下，DRAM合约价和现货价都呈现加速赶底之姿，

南朝鲜军事紧张关系对于DRAM报价激励未产生实质性的帮助，市场还是回到供需面看待DRAM市场未来的前景；在DRAM供给端产出都集中在下半年，但个人计算机(PC)需求却旺季不旺下，DRAM合约价和现货价都呈现加速赶底之姿，预期2010年底前DDR3合约价将下跌至20美元水平，随著尔必达(Elpida)、力晶陆续减产，以及三星电子(SamsungElectronics)的新厂Fab16进度将随景气调整，预计2011年下半DRAM市场可望走向供需平衡。

DRAM厂表示，戴尔(Dell)、惠普(HP)财报都交出不错成绩单，笔记型计算机(NB)销售量也不差，但DRAM价格仍是持续滑落，主要问题出在供给端，加上目前计算机大厂内建的DRAM搭载率还未提升至4GB容量，以致于源源不绝出笼的DRAM产出未能达到有效的消化。

2010年DRAM厂的产出都大幅集中于下半年，台系方面有华亚科13万片的50纳米产能大量出笼，挹注母公司南亚科和美光(Micron)；南亚科本身的12寸晶圆厂也持续扩产中，都使得产出持续增加，同时也有助于2Gb芯片取代1Gb芯片的趋势。

再者，三星的浸润式曝光机台(ImmersionScanner)移入的时间点最早，因此40纳米制程的产出在第3季大幅增加，同时年底前35纳米产出也将开始出货，都使得全球DRAM产出大幅成长。

展望2011年，集邦科技预估2011年DRAM全年产出成长率可达50%，其中三星的35纳米制程转换率在2011年下半年将超过50%，海力士(Hynix)、美光和尔必达均预计2011年第2季末量产30纳米技术。

在台系DRAM厂方面，2011年各阵营也都会陆续转进40纳米制程，尔必达阵营中的力晶和瑞晶将转进45纳米制程，其中瑞晶因为浸润式微米曝光机台到位速度较快，年底前目标是50%产能将转进45纳米制程，届时2Gb容量DDR3成本可望降低至1.5美元。

美光阵营中的南亚科和华亚科则将快速导入42纳米制程，随著50纳米制程量产，公司预期42纳米制程的进入门槛较低，可进一步驱动成本快速下降。

以2010年价格走势来看，上半年2GBDDR3合约价高点为46.5美元，9月上旬则跌破40美元关卡，10月下旬再度跌破30美元关卡，11月上旬出炉的合约价约24~25美元，预计年底将下看至20美元。

在需求端方面，集邦预估2011年PC的销售成长将达11.8%，加上智能型手机和平板计算机(TabletPC)普及，将刺激MobileRAM需求成长超过80%，而2011年桌上型计算机(DT)以及笔记型计算机(NB)的内建存储器搭载率将分别成长至4.22GB和4GB，估计年增率分别为36%和31%。

日前南朝鲜军事紧张冲突升温，DRAM市场对于此事件的反应较冷静，虽然认为三星或海力士在韩国的晶圆厂若遭到波及，台系DRAM厂可能或接获转单，但业者都认为要看双方后续发展而定，如果只是单纯喊话，军事冲突没有进一步扩大，全球DRAM报价的走势还是要回归正常市场供需来看待。

在尔必达宣布减产后，力晶也跟进减产且增加非标准型DRAM产能的投片，三星2011年宣布新建的Fab16新厂进度将随景气的状况而做调整，在供给端逐渐改善下，若甫以需求端计算机大厂将存储器搭载率提升至4GB以上，2011年下半的DRAM产业可望供需平衡。