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东芝开始量产24nm工艺NAND闪存
时间：2010-09-01 11:03:29
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[导读]东芝公司宣布，即日起开始使用24nm工艺批量生产NAND闪存芯片，这也是该领域内迄今为止最为先进的制造技术。东芝透露，24nm工艺已被用于生产世界上体积最小、存储密度最高的2bpc(每单元两个比特)MLCNAND闪存芯片，单颗
东芝公司宣布，即日起开始使用24nm工艺批量生产NAND闪存芯片，这也是该领域内迄今为止最为先进的制造技术。
东芝透露，24nm工艺已被用于生产世界上体积最小、存储密度最高的2bpc(每单元两个比特)MLCNAND闪存芯片，单颗容量64Gb(8GB)，今后还会使用同样工艺制造32Gb(4GB)容量和3bpc规格的闪存芯片。
东芝表示，新工艺将进一步减小芯片尺寸、提高生产效率，同时还支持ToggleDDR接口规范，有助于增强数据传输速度。
在此之前，Intel、美光合资的IMFlash已经开始批量生产25nm工艺NAND闪存芯片，并试产了3bps规格芯片。
东芝透露，24nm工艺已被用于生产世界上体积最小、存储密度最高的2bpc(每单元两个比特)MLCNAND闪存芯片，单颗容量64Gb(8GB)，今后还会使用同样工艺制造32Gb(4GB)容量和3bpc规格的闪存芯片。
东芝表示，新工艺将进一步减小芯片尺寸、提高生产效率，同时还支持ToggleDDR接口规范，有助于增强数据传输速度。
在此之前，Intel、美光合资的IMFlash已经开始批量生产25nm工艺NAND闪存芯片，并试产了3bps规格芯片。
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