SiTime在学会上发表频率波动不到1ppm、抖动低于1ps的振荡器
时间：2012-06-29 08:55:00
[导读]美国SiTime在2012年6月于美国举行的学会“15th Hilton Head Workshops on the science and technology of solid-state sensors, actuators, and microsystems（2012 Hilton Head Workshops）”上发表了可作为高速通信
美国SiTime在2012年6月于美国举行的学会“15th Hilton Head Workshops on the science and technology of solid-state sensors, actuators, and microsystems（2012 Hilton Head Workshops）”上发表了可作为高速通信设备时钟源的硅振荡器详细信息。该振荡器内置温度补偿电路，可大幅降低频率波动。采用此次技术的工艺，将成为该公司高性能产品的平台。
这款硅振荡器以SiTime的MEMS（微小电子机械系统）技术为基础，利用与振荡器集成在同一芯片上的热敏电阻进行温度补偿。当输出信号的频率为48MHz时，在－40～＋85℃的温度范围内，可将频率波动控制在±0.2ppm以内、抖动控制在1ps以下。某些条件下，还可替换还TCXO（温度补偿型晶体振荡器），这是此前的市售硅振荡器难以实现的。
SiTime在发表中还公开了该振荡器的MEMS部分和热敏电阻部分的详细信息以及频率稳定性等数据。
在2012年1～2月举行的MEMS领域国际学会“MEMS2012（The 25th International Conference on Micro Electro Mechanical Systems）”上，美国佐治亚理工学院（Georgia Institute of Technology）等也发表了可抑制硅振荡器频率波动的技术。在此后由Tech-On！举行的报告会上，日本东北大学副教授田中秀治介绍了该技术与SiTime的技术。
在“2012 Hilton Head Workshops”上，除了SiTime以外，其他公司也发表了旨在解决硅振荡器课题的技术。
这款硅振荡器以SiTime的MEMS（微小电子机械系统）技术为基础，利用与振荡器集成在同一芯片上的热敏电阻进行温度补偿。当输出信号的频率为48MHz时，在－40～＋85℃的温度范围内，可将频率波动控制在±0.2ppm以内、抖动控制在1ps以下。某些条件下，还可替换还TCXO（温度补偿型晶体振荡器），这是此前的市售硅振荡器难以实现的。
SiTime在发表中还公开了该振荡器的MEMS部分和热敏电阻部分的详细信息以及频率稳定性等数据。
在2012年1～2月举行的MEMS领域国际学会“MEMS2012（The 25th International Conference on Micro Electro Mechanical Systems）”上，美国佐治亚理工学院（Georgia Institute of Technology）等也发表了可抑制硅振荡器频率波动的技术。在此后由Tech-On！举行的报告会上，日本东北大学副教授田中秀治介绍了该技术与SiTime的技术。
在“2012 Hilton Head Workshops”上，除了SiTime以外，其他公司也发表了旨在解决硅振荡器课题的技术。
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