IDT 推出全球首款针对高性能应用的压电 MEMS 振荡器
时间：2012-05-10 07:33:00
[导读]【2012年5月9日，台北讯】拥有类比和数位领域优势技术、提供领先混合信号半导体解决方案的IDT? 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布推出全球首款针对高性能通信、消费、云端和工业应用设计
【2012年5月9日，台北讯】拥有类比和数位领域优势技术、提供领先混合信号半导体解决方案的IDT? 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布推出全球首款针对高性能通信、消费、云端和工业应用设计的CrystalFree?压电式MEMS (pMEMS?) LVDS/LVPECL振荡器。这款新型振荡器以远低于1皮秒(picosecond)的相位抖动运行，超越业界标准，可完美替代传统6针脚晶体振荡器(XOs)。
IDT 的 4M 系列高性能 LVDS/LVPECL 振荡器使用 IDT 独家 CrystalFree pMEMS 谐振器技术，让 IDT 能够迅速在出厂时编程所需的输出频率，无需微调昂贵的晶体。此外，由于pMEMS的谐振频率效能远高于石英晶体，4M振荡器能够以较低成本达到更高的频率，且不耗损关键性能。4M系列集结 IDT众多以MEMS为基础的产品，将为客户提供更便利、精确和低抖动的时脉参考。
IDT 公司副总裁兼时脉与同步部门总经理 Fred Zust 表示：「身为时脉领域的领导者，我们的客户一直期望IDT的pMEMS技术能够延伸至高性能应用领域，例如通信这个高达 40 亿美元的频率控制主要市场。IDT 独家的 pMEMS 谐振器技术将压电材料的强机电耦合与单晶矽的稳定性和低阻尼相结合，让新产品可完美取代传统的XO，甚至具备更优秀的性能和成本效益。这些产品与我们屡获殊荣的固态振荡器相得益彰，提供市场完整的频率控制产品组合，且渐渐取代以石英为主的产品。
IDT 的 4M 振荡器可在 -40°C 至 85°C 的广泛工业温度范围内，以 ±50 ppm 的频率精准运作。并支援低压差分信号(LVDS)和低电压正发射极耦合逻辑(LVPECL)，频率高达 625 MHz，可符合大多数通信、网路和高性能计算应用的严格要求。除了 7.0 x 5.0 mm (7050)尺寸，IDT 的 pMEMS 振荡器还提供 5.0 x 3.2 mm (5032)小型标准塑胶封装，可节省成本并减低高密度应用领域的封装尺寸。这些4M振荡器经过设计，与传统XO的针脚相容，是理想的升级替代解决方案。
供货
IDT 的 4M 振荡器已可提供样品，并可依客户需要，提供不同频率、电压、输出类型和工业标准封装的组合。了解更多 IDT CrystalFree pMEMS 振荡器，请参考：www.idt.com/go/MEMS
IDT 的 4M 系列高性能 LVDS/LVPECL 振荡器使用 IDT 独家 CrystalFree pMEMS 谐振器技术，让 IDT 能够迅速在出厂时编程所需的输出频率，无需微调昂贵的晶体。此外，由于pMEMS的谐振频率效能远高于石英晶体，4M振荡器能够以较低成本达到更高的频率，且不耗损关键性能。4M系列集结 IDT众多以MEMS为基础的产品，将为客户提供更便利、精确和低抖动的时脉参考。
IDT 公司副总裁兼时脉与同步部门总经理 Fred Zust 表示：「身为时脉领域的领导者，我们的客户一直期望IDT的pMEMS技术能够延伸至高性能应用领域，例如通信这个高达 40 亿美元的频率控制主要市场。IDT 独家的 pMEMS 谐振器技术将压电材料的强机电耦合与单晶矽的稳定性和低阻尼相结合，让新产品可完美取代传统的XO，甚至具备更优秀的性能和成本效益。这些产品与我们屡获殊荣的固态振荡器相得益彰，提供市场完整的频率控制产品组合，且渐渐取代以石英为主的产品。
IDT 的 4M 振荡器可在 -40°C 至 85°C 的广泛工业温度范围内，以 ±50 ppm 的频率精准运作。并支援低压差分信号(LVDS)和低电压正发射极耦合逻辑(LVPECL)，频率高达 625 MHz，可符合大多数通信、网路和高性能计算应用的严格要求。除了 7.0 x 5.0 mm (7050)尺寸，IDT 的 pMEMS 振荡器还提供 5.0 x 3.2 mm (5032)小型标准塑胶封装，可节省成本并减低高密度应用领域的封装尺寸。这些4M振荡器经过设计，与传统XO的针脚相容，是理想的升级替代解决方案。
供货
IDT 的 4M 振荡器已可提供样品，并可依客户需要，提供不同频率、电压、输出类型和工业标准封装的组合。了解更多 IDT CrystalFree pMEMS 振荡器，请参考：www.idt.com/go/MEMS
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