Diodes 封装MOSFET有助实现低温操作

DFN1212-3封装零件可轻易替换同类SOT723封装MOSFET

Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封装的MOSFET。该器件的结点至环境热阻 (Rthj-a) 为130oC/W，能于持续状态下支援高达1W的功率耗散，相比于占位面积相同、Rthj-a性能为280oC/W的SOT723封装，能实现更低温度运行。

这款无铅DFN1212-3封装MOSFET与采用SOT723 封装的MOSFET一样，印刷电路板 (PCB) 面积为1.44mm2，并具备0.5mm的狭小离板高度，但后者的热力效能则较低。这对采用DFN1212-3封装的MOSFET可简易替换高可靠性的讯号及负载开关应用，用于包括数码相机、平板电脑及智能手机在内的高便携式消费电子产品。

Diodes公司首次推出的这对MOSFET，额定电压为20V，包含DMN2300UFD N通道及DMP21D0UFD P通道组件。在VGS为1.8V的情况下，该N通道MOSFET的典型导通电阻为400mΩ，比最受欢迎的同类型SOT723封装MOSFET大约低50%，有效大幅减少传导损耗及功率耗散。

Diodes稍后亦会推出采用DFN1212-3封装、额定电压为30V与60V的组件，以及一系列双极型器件。


Diodes简介

Diodes Incorporated为标普小型股600指数 (S&P SmallCap 600 Index) 及罗素3000指数公司，活跃于全球分立、逻辑及模拟半导体市场，致力制造及供应优质的特殊应用标准产品，服务消费性电子、电脑、通讯、工业及汽车等不同市场。Diodes的产品包括二极管、整流器、电晶体、MOSFET、保护设备、特殊功能阵列、单闸逻辑、放大器和比较器、霍尔效及温度应传感器，以及涵盖LED驱动器、直流-直流切换和线性稳压器、电压参考的功率管理器件，以至USB电源开关、负载开关、电压监控程式及马达控制器等特殊功能器件。

Diodes公司总部、物流办事处及美国销售办事处位于美国德州普莱诺市，在普莱诺、圣荷西、台北、英国和德国设有设计、市务及工程中心；在密苏里州坎萨斯城及英格兰曼切斯特设有晶圆制造厂；在上海设有两所制造厂、在德国诺伊豪斯设有一所，另于成都设有合资厂房；在台北、香港及曼彻斯特设有工程、销售、仓库及物流办事处；并在世界各地设有销售与支援办事处。

有关进一步的详尽资讯，包括美国证监会存档，可浏览该公司网站，网址为www.diodes.com。