京瓷展示用于SiC功率元件的封装和基板

容许电流分别为15A（左）和50A（右）的封装（点击放大）

封装的解说板（点击放大）

可双芯片封装SiC功率元件的功率模块基板（点击放大）

降低了寄生电感成分的功率模块基板（点击放大）

解说板（点击放大）
京瓷展出了可靠性得到提高的封装和功率模块基板，计划用于SiC功率元件。其中，封装为容许电流分别为15A和50A的两款产品。

功率模块基板也展出了两款产品。一款可双芯片安装SiC功率元件。另一款降低了寄生电感成分。该基板已被日本技术研究组合新一代功率电子研究开发机构（FUPET）试制的输出功率密度为40kW/L的SiC功率模块采用。除了该模块外，还可用于其他模块。实用化存在的课题之一是确保热循环时的可靠性。“在－40℃～+300℃温度循环下的可靠性尚未完全确认”（解说员）。（记者：根津 祯，《日经电子》）