陶氏化学推新一代CMP铜制程，助提升半导体制程良率

全美第一，全球第二大之化学公司陶氏化学旗下电子材料今(8)日在国际半导体展发表最新无研磨粒化学机械研磨(Chemical mechanical polishing,CMP)铜制程，该技术结合RL3100无研磨粒及VisionPad 500研磨垫能有效用来提高晶圆制程时的良率。陶氏大中华暨东南亚区总经理陈嘉平表示，随着半导体元件体积愈做愈小，除了制程进步、技术门槛提高外，同时企业也要设法降低成本，提高良率。

事实上，化学机械研磨是应用在半导体晶圆的平坦化制程之一，在研磨晶片时，须将晶片置于研磨垫(Pad)上，配合研磨液中的化学物品才能移除晶圆表面上的杂质。不过一般研磨液里头含有大量研磨粒，容易让晶圆产生缺陷，但RL3100拥有高研磨效率、晶圆表面铜的清除能力，且具稀释性，可以减少研磨垫的清洗并提高使用寿命，还可藉此提高产能。

据了解，目前该产品也已被美国14奈米高阶制程的晶圆大厂采用，成为其主要供应商，台湾区的产能则负责供应整个亚太地区，现阶段有高达8成的研磨垫都是来自台湾厂供应。而此次世代的研磨液也被IDM(整合元件厂)选为14奈米节点的记录制程(Process of Record)及晶圆代工厂28奈米的TSV(直通矽晶穿孔Through-Silicon Via封装技术)制程采用。