宜特于jMS期刊发表晶圆级封装电路修补技术成果

宜特科技(IST)今宣布，继研究「爬行腐蚀发生在PCB的验证方法」研发成果蝉联两届SMTA China (华东高科技会议)最佳论文后，宜特科技研发成果又获选为电子材料科学期刊(J. Materials Science: Materials in Electronics，jMS)论文。此期刊探讨全球最新的半导体元件材料失效、品质保证与可靠度分析，经常被引用于电子材料相关技术的研究。
此篇论文「晶圆级晶片尺寸封装电路修补技术 (Innovative Methodologies of Circuit Edit On Waver-Level Chip Scale Package (WLCSP) Devices) 」于2010年底，即获得国际材料工程与科学协会(ASM)所举办的失效分析暨测试研讨会(ISTFA)肯定，邀请宜特研发团队远赴美国德州达拉斯(Dallas, Texas USA)，发表最新研究成果。

宜特科技整合故障分析工程处处长张明伦表示，本技术系使用先进的聚焦离子束显微镜(FIB)设备，先制作出导电孔及导电垫子，再利用宜特自行开发出的接合方法使导电垫子连接金属导线，成功研发出不须将重布线层(RDL)移除，完整保留IC封装之电路修改(circuit edit)的技术。此外，该技术亦可应用于修正RDL的错误。

张明伦进一步指出，此研究的挑战在于WLCSP的RDL与锡球(solder ball)位在IC金属层电路上方，让电路修改时可运用的空间远小于传统的封装型态，且因其护层(Passivation)之厚度非常厚，导致FIB在施作导电孔时，对于高宽比(aspect ratio)的要求，比起一般IC更具挑战性。此研发成果，可以协助使用先进封装的IC设计者在电路验证、侦错、失效分析上更直接、灵活且快速，加速产品上市时间(Time-to-market)。

宜特科技自2009年起全面布局先进封装与MEMS等新兴产品失效分析技术研发，已经成功开发WLCSP晶片电路修补技术(FIB Circuit Repair for WLCSP)、MEMS逆向工程、重布线层线路修补技术(FIB Circuit Repair for Redistribution Layer)等技术。藉上述研发成果，发现MEMS元件特殊失效现象，并完成WLCSP晶片侦错与电路修改，可大幅缩短客户产品开发验证量产时程。