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DRAM封测制程沿革

时间：2011-01-04 07:57:00

关键字： DRAM SDRAM DDR3 封装技术

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[导读]李洵颖 DRAM的世代交替带动了先进封装技术的发展，以往DDR DRAM及利基型SDRAM产品，其封装型态均为超薄小型晶粒承载封装(TSOP)，自DDR2产品封装型态已改变为闸球阵列封装(BGA)，延续至2010年主流自DDR2逐步由DDR3取代

李洵颖 DRAM的世代交替带动了先进封装技术的发展，以往DDR DRAM及利基型SDRAM产品，其封装型态均为超薄小型晶粒承载封装(TSOP)，自DDR2产品封装型态已改变为闸球阵列封装(BGA)，延续至2010年主流自DDR2逐步由DDR3取代。在测试制程方面，传输速率亦由800 MHZ逐步提升至1.3GHZ以上，原有的封测设备已不敷使用，均需再投资新设备，而在高技术及资金门槛的情况下，也更加速封测厂商的整合。目前台湾封装厂商有34家，测试厂商有36家，在面对封装测试产业后续庞大资本支出需求，造就集团式经营的趋势。

DRAM模组价格与原料DRAM的涨跌息息相关，整体产业受景气波动影响甚深，因此模组厂商唯有保持最佳的营运绩效、以最低的成本、最快的生产效率，以及搭配良好的行销通路，才能在激烈的竞争环境中存活。(李洵颖)

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