应用材料全新Centris刻蚀系统SEMICON Japan亮相

应用材料11月30日宣布推出全新的 Centris? AdvantEdge? Mesa?刻蚀系统，主要针对45nm以下存储和逻辑芯片市场。结构紧凑的Centris系统装配了8个反应腔，即6个刻蚀反应腔和2个刻蚀后清洁腔，每小时可处理多达180片硅片，最多可将单片硅片的制造成本降低30%。同时Centris系统在腔体设计上实现了突破，极大的提高了CD的均匀一致性，将其变化范围控制在0.8nm以内。

据介绍，2010年金属刻蚀设备市场约为16.8亿美元，随着线宽的缩小，双掩膜工艺必将对刻蚀的工艺要求越来越高，涉及的工艺步骤也越来越多，正是看好这一市场的巨大发展潜力，应用材料投入巨资开发了全新的平台。公司副总裁兼刻蚀事业部总经理Ellie Yieh介绍，目前Centris系统已经在2家DRAM客户、1家DRAM＋FLASH产品客户及1家逻辑客户试用，并获得了良好的客户反馈。

Applied Centris AdvantEdge刻蚀系统同样为绿色工艺开辟了一条新的道路。和市场上现有的硅刻蚀系统相比，该系统每年减少的耗电量、耗水量和耗气量相当于减排60万磅二氧化碳。

据介绍，应用材料在刻蚀设备领域的全球市场份额为30％左右，每年投入研发的费用保持在10亿美元左右。此次应用材料发力全新刻蚀系统，志在改写刻蚀设备的全球市场格局，同时也让我们再次感受到了半导体技术创新的无限生机。