F-IET：III-V半导体整合，携Soitec争成长利基

III-V族半导体磊晶厂F-IET(4971,英特磊)董事长康润生指出，III-V族半导体产业正在快速整合，2013年几桩海外大厂的合并案证实此一趋势加速发生，F-IET也选择和法国大厂Soitec结盟，进一步取得更高的产能和先进技术，尤其有利于F-IET未来转进高聚光型太阳能(HCPV)市场，占据更佳的竞争利基。

F-IET董事长康润生表示，去年间IQE买下Kpoin磊晶产线、RFMD和TriQuint合并案，都证明III-V族半导体产业正加速整合脚步，市况更趋稳定，F-IET看好今年市况将优于去年，亦决议携手法国Soitec，藉着引进更高产能和技术，取得竞争优势。

康润生说明，RFMD和TriQuint合并，短期内看不到明显的影响，因为公司已经是TriQuint认证厂商，就算TriQuint有供应商规则的改变，也需要费时的认证流程，且F-IET在业界供应链里头具有稳固地位，客户产品线的掌握上，算是可攻可守，并不会有明显的影响。

同时，F-IET也藉由和法国Soitec的合作，取得先进技术与产能，有利于未来的竞争优势，康润生指出，Soitec既有客户以工业应用为主，这块领域是F-IET非常想要着墨的，和公司在美国、日本的客户群是非常不一样，有庞大的互补空间。

另一方面，III-V族材料在聚光型的太阳能应用非常广泛，Soitec在该领域着墨甚深，未来成长空间看俏，康润生看好HCPV聚光型III-V材料在未来3-5年内将有成长空间爆发，且Soitec也是用MBE(分子束磊晶)设备，和F-IET一样，双方将可藉由技术合作，提升MBE用于HCPV磊晶生产的效益，进一步加速跨足HCPV市场的机会。

而就F-IET自家产能扩张计划来看，康润生指出，F-IET在美国、中国共拥有三座生产基地，去年不仅完成天津厂区的设置，位于美国德州Richardson的厂区今年则要进一步实施扩产，整体生产力的设定将持续扩张。

F-IET去年营收为5.7亿元，年增2.2%，毛利率为42.1%、营益率18.7%，毛利率与营益率较前年的42.5%、21.7%下滑；累计2013年全年，F-IET税后盈余为1.05亿元，年减10.3%，EPS为3.81元。