联电55奈米驱动IC出货旺
时间:2014-01-08 07:16:00
[导读]晶圆代工厂联电今天宣布,55奈米嵌入式高压制程生产的小尺寸面板驱动IC,累积出货已逾1500万颗。
联电表示,客户55奈米小尺寸面板驱动IC产品2012年底首次设计定案(tape out),短短1年累积出货1500万颗,展现联电在
晶圆代工厂联电今天宣布,55奈米嵌入式高压制程生产的小尺寸面板驱动IC,累积出货已逾1500万颗。
联电表示,客户55奈米小尺寸面板驱动IC产品2012年底首次设计定案(tape out),短短1年累积出货1500万颗,展现联电在工程与制造上的实力。
联电指出,位于南科与新加坡的两座12寸晶圆厂皆可提供足够产能支援,与经济规模产量。
因应行动通讯装置显示器朝窄边框与无边框发展,联电持续推进55奈米嵌入式高压制程的静态随机存取记忆体(SRAM)面积极限,目前已可缩小至0.379平方微米。
联电表示,客户55奈米小尺寸面板驱动IC产品2012年底首次设计定案(tape out),短短1年累积出货1500万颗,展现联电在工程与制造上的实力。
联电指出,位于南科与新加坡的两座12寸晶圆厂皆可提供足够产能支援,与经济规模产量。
因应行动通讯装置显示器朝窄边框与无边框发展,联电持续推进55奈米嵌入式高压制程的静态随机存取记忆体(SRAM)面积极限,目前已可缩小至0.379平方微米。





