与IBM攻10纳米 联电强化竞争力

联电（2303）执行长颜博文昨（7）日表示，联电跳过20纳米，与IBM合作14纳米FinFET（鳍式场效晶体管）制程，近期更加入IBM 10纳米FinFet CMOS联盟，将缩短和竞争对手在先进制程差距。

联电昨天公布第2季约当8寸晶圆出货量为130.7万片，主力仍集中在40纳米和65纳米制程，其中，65纳米营收占比为约35%；40纳米约20%；28纳米仍占极少比重，年底占营收1~2%。

不过，颜博文仍强调，联电仍会持续加速量产并强化技术改良，以充分满足客户产品规划上的需求，并藉差异化，强化竞争力。

他说，联电已于近日宣布加入IBM 10纳米FinFET CMOS技术联盟。透过与IBM的结盟，将可以克服现阶段的研发障碍，并提供结合IBM基础技术的未来制程平台，根据客户需求开发衍生性的制程。

据了解，联电也在新加坡设立特殊制程研发中心，并藉由和舰的产能支持，抢占大陆快速崛起的IC代工商机；至于到海外设厂和并购，则还在评估中。联电今年资本支出将维持15亿美元。