EUV微影尚未功成　设备业者仍在努力

在日前于美国旧金山举行的 Semicon West 半导体设备展上，仍在开发中的超紫外光(EUV)微影技术又一次成为讨论焦点；欧洲微电子研究机构IMEC总裁暨执行长Luc Van den Hove在一场座谈会中表示：「EUV仍然是半导体产业界的最高优先。」
荷兰微影设备业者 ASML 在5月份以26亿美元完成收购微影光源供应商Cymer，此收购案被认为是ASML更进一步坚定了发展EUV光源的决心；Cymer 是市场上三家被认为所开发之光源设备足以支援商业量产EUV设备的厂商之一。

而在 2月份，在另一场微影技术研讨会(SPIE Advanced Lithography Conference)上，ASML所发表的资料显示，该公司已将微影设备最大光源功率(source power)调高至55瓦。ASML发言人Ryan Young近日指出，55瓦应该足以支援产量每小时43片晶圆的EUV设备；而他也指出，ASML已经证实该光源能支援最大50瓦功率很长一段时间。

Young表示，ASML的EUV预产设备NXE:3100已经即将完成开发，一旦该公司将新的光源移植到拥有较大驱动雷射的NXE:3300系列EUV设备上，其50瓦功率可再提升至80瓦，支援每小时60片晶圆的产量。

根据Young的说法，提升光源功率──是EUV技术量产的一大瓶颈──是ASML目前唯一需要再取得进展的部分，该公司除将持续改善光源的原始功率，也将聚焦于有关可用性与剂量控制(dose control)等其他需要改善的地方。

Young指出，ASML的最新目标是在2014年左右的时间，达到可支援每小时70片晶圆的设备产量，这个吞吐量数字会是让客户认为值得投资EUV设备的临界点；但他也强调：「每个客户的制程都不一样。」

多数晶片制造商可能会认为EUV设备达到每小时100~150片晶圆产量，才具成本效益；但也有厂商认为，一开始每小时达到60~80片产量是可接受的。原本产业界预期EUV技术可在一年前量产，但却遇到不少阻碍使得时程拖延；目前ASML有七套预产EUV开发设备。

英特尔在去年收购了15%的ASML股权，并拿出了额外约41亿美元的资金专门支援EUV微影开发，期望能在2015下半年的10奈米节点布署EUV设备。不过在英特尔也表示打算扩展光学浸润式微影在10奈米节点的应用，以因应届时EUV技术尚未准备就绪的状况；三星(Samsung)与台积电(TSMC)也与ASML建立了类似的开发合作关系。

IMEC业务开发执行副总裁Ludo Deferm表示，光学浸润式微影扩展至10奈米节点在经济上恐怕不可行，因为需要三道甚至更多的光罩，意味着成本可能会大幅增加。不过他也指出，IMEC认为EUV终有一天会迈向量产：「我们对此很有信心，但我们没用水晶球占卜，无法准确说出未来将会如何。」

编译：Judith Cheng

(参考原文： EUV Litho Still a Work in Progress，by Dylan McGrath)