联电、IBM 携手10纳米CMOS

联电与IBM昨（13）日共同宣布，联电将加入IBM技术开发联盟共同开发10nm(纳米）CMOS制程技术。

联电表示，将指派工程团队加入位于美国纽约州阿尔巴尼（Albany, New York）的10纳米研发计划，而联电14纳米FinFET与10纳米未来的制造，则将于联电台湾南科的研发中心进行。

联电进一步说明，两家公司此次的协议，拓展了双方于2012年签订之14纳米FinFET合作协议。而拥有IBM的支持与know-how，联电将可持续提升其内部自行研发的14纳米FinFET技术，针对行动运算与通讯产品，提供富竞争力的低耗电优化技术。双方计划开发10纳米制程基础技术，以满足联电客户的需求。

IBM半导体研发副总Gary Patton表示，IBM联盟成立至今已逾十年，联盟伙伴可集成运用其专业知识，团队研究合作与创新的技术研发，藉此满足对先进半导体应用产品与日俱增的需求。而联电的加入，将使联盟的实力更加强大。

联电执行长颜博文则表示，IBM为众所公认的半导体技术领导者。联电十分高兴能与IBM在先进制程领域携手合作，贡献联电多年来开发高竞争力制造技术所累积的经验。身为世界顶尖的晶圆专工厂之一，联电肩负着适时推出尖端制程，以实现客户次世代芯片设计的使命与承诺，公司十分期待与IBM密切合作，借重其深厚的技术专业，来缩短10纳米与FinFET的研发周期。