联电与Kilopass合作夥伴关系扩展至28奈米制程
时间：2013-05-30 05:25:00
[导读]晶圆代工大厂联华电子(UMC，以下简称联电)与半导体逻辑非挥发性记忆体(NVM)矽智财领导厂商 Kilopass 日前共同宣布，双方已签署技术开发协议，Kilopass非挥发性记忆体矽智财将于联电两个 28奈米先进制程平台上提供，分
晶圆代工大厂联华电子(UMC，以下简称联电)与半导体逻辑非挥发性记忆体(NVM)矽智财领导厂商 Kilopass 日前共同宣布，双方已签署技术开发协议，Kilopass非挥发性记忆体矽智财将于联电两个 28奈米先进制程平台上提供，分别为：适用于生产可携式装置产品系统单晶片的高介电质金属闸(High-k/Metal Gate) 28HPM ；以及受消费性电子产品系统单晶片设计公司青睐的多晶矽(Poly /SiON) 28HLP 制程。
联电 28奈米制程的晶片闸极密度为 40奈米制程的两倍。具成本效益的28HLP多晶矽(Poly/ SiON) 制程，与业界其他28奈米多晶矽(Poly /SiON) 制程相比，具备了更优异的效能及功耗上的提升。为配合系统单晶片设计公司不同的电源需求，此制程提供了多个电压选项：1.8V，2.5V和2.5 /3.3V。而28HPM高介电质金属闸(High-k/Metal Gate)制程，则提供了临界电压选项、记忆体储存单元和降频/超频功能，有助于系统单晶片设计公司大幅提高产品整体效能和电池续航力。
Kilopass与联电的合作关系开始于2010年的联华电子40LP制程，现已完成推出。随着客户对其他制程需求的增加，两家公司决定进一步于130/110/55nm制程平台上提供反熔丝嵌入式非挥发性记忆体(anti-fuse embedded NVM)，也已在2012年完成。此次的新协议案，则将双方夥伴关系扩展到28奈米制程平台。
联电 28奈米制程的晶片闸极密度为 40奈米制程的两倍。具成本效益的28HLP多晶矽(Poly/ SiON) 制程，与业界其他28奈米多晶矽(Poly /SiON) 制程相比，具备了更优异的效能及功耗上的提升。为配合系统单晶片设计公司不同的电源需求，此制程提供了多个电压选项：1.8V，2.5V和2.5 /3.3V。而28HPM高介电质金属闸(High-k/Metal Gate)制程，则提供了临界电压选项、记忆体储存单元和降频/超频功能，有助于系统单晶片设计公司大幅提高产品整体效能和电池续航力。
Kilopass与联电的合作关系开始于2010年的联华电子40LP制程，现已完成推出。随着客户对其他制程需求的增加，两家公司决定进一步于130/110/55nm制程平台上提供反熔丝嵌入式非挥发性记忆体(anti-fuse embedded NVM)，也已在2012年完成。此次的新协议案，则将双方夥伴关系扩展到28奈米制程平台。
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