先进制程稳扎稳打　联电先顾40奈米金鸡母

联电将全力冲刺40奈米(nm)晶圆代工业务。不同于台积电与格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)陆续宣布加速16或14奈米鳍式电晶体(FinFET)量产时程，积极卡位先进制程市场，联电则先以扩大40奈米营收比重为主要发展重心，并将扩增高压液晶显示(LCD)驱动IC、嵌入式快闪记忆体等12寸晶圆利基型制程，强化营收主力。

联华电子执行长颜博文认为，联电未来还有很大的发展空间，特别在40奈米制程方面将有亮眼的表现。
联华电子执行长颜博文表示，通讯、运算设备及行动装置对40奈米制程的需求仍非常强烈，因此持续提升40奈米制程研发能量，并扩充多元客制化产品阵容，才是联电当前首要布局重点。至于28奈米以下先进制程，联电也已拟好时程表，不会贸然进行大规模投资。

事实上，联电积极拱大40奈米制程事业版图的策略已开始奏效，该公司日前于2013年第一季法说会中缴出令人振奋的营运成绩单，不仅40奈米以下制程营收比重从去年第四季的15%再攀高至18%，刺激晶圆出货季增5%，营收年增5.8%，产能利用率也守在78%水准，优于去年底预估将滑落至75%的状况。因此，该公司股价走势也逐渐翻扬，并站上近7个月来的高点。

颜博文指出，晶片商库存去化动作已于今年第一季告一段落，第二季可望重新启动备货计划，尤其在各种通讯晶片对先进制程强劲的需求带动下，联电40奈米以下制程的营收占比更将超越两成，晶圆出货片数也将大幅成长12～14%，产能利用率则有望回到80%左右。

此外，联电也将与客户并肩作战，推出更多客制化的制程技术平台，刺激营收成长，如近期已与飞索(Spansion)签订40奈米嵌入式快闪记忆体(Embedded Flash)制程合作计划；并将部署65、55、45及40奈米利基型制程方案，抢攻新一代高解析度LCD驱动IC高压制程，互补式金属氧化物半导体影像感测器(CMOS Image Sensor)，以及智慧汽车(Smart Car)相关晶片制造商机。

至于28奈米以下先进制程则依公司蓝图逐步转换生产线，并与客户展开先期研发合作。颜博文强调，联电28奈米SiON/POLY制程将在今年底贡献个位数的总营收百分比，并将于明年首季转换至更高效能、更低功耗的高介电系数金属闸极(HKMG)方案，拉拢更多处理器客户。2014年第三季则将发布14奈米FinFET的双重曝光(Double Patterning)技术及设计定案(Tape Out)，随后于2015年正式量产。

由于联电上述规画独漏20奈米，因而也引发业界关注其是否将略过此一制程节点。对此，颜博文分析，28奈米HKMG系一具主导性、生命周期较长的制程方案，相形之下，20奈米可能成为非主流制程(Weak Node)，因晶片效能提升与投资成本效益不一定胜过直接导入14奈米FinFET，仅有一线处理器大厂为维持技术领先优势才会计划采用。也因此，联电将视客户需求发展20奈米，不会特别投注大量资源。