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[导读]三维(3D)晶片堆叠可望成为半导体整合的未来。然而,目前针对内部分层的散热问题仍悬而未决,从而推动业界转向采用矽中介层。最近一款由Silex与BroadPak公司联手开发的新式矽中介层技术,可望克服这项挑战,使 3D 晶片

三维(3D)晶片堆叠可望成为半导体整合的未来。然而,目前针对内部分层的散热问题仍悬而未决,从而推动业界转向采用矽中介层。最近一款由Silex与BroadPak公司联手开发的新式矽中介层技术,可望克服这项挑战,使 3D 晶片整合导入量产。
这种一开始在晶片和基板中间插入矽中介层的封装方式称为 2.5D 技术,但由于晶片与矽中介层采用并排布局,并透过矽穿孔(TSV)技术,因而实现了晶片与基板间的3D互连。截至目前为止,只有台积电(TSMC)是唯一能够提供量产中介层的供应商,而赛灵思(Xilinx)则是其唯一公开发布的客户。最近,另一家代工厂Silex Microsystems以及一家 3D 整合供应商BroadPak联手针对大众市场推出新的矽中介层解决方案。

Silex Microsystems行销与策略联盟副总裁Peter Himes表示:「大多数公司都缺乏整合的技术与方法,而目前的解决方案又过于昂贵且建置风险高。」

据市场研究公司Yole Developement预测,在未来的五年内,矽中介层市场将以88%的年成长率(CAGR)成长。所有的大型半导体制造商正致力于寻求提升其3D整合能力,但除非解决散热问题,否则矽中介层仍是目前实现3D的唯一出路。Silex与BroadPak公司宣称,透过他们开发的矽中介层新方法,能够克服成本、工程、可靠性与供应链等目前阻碍大量市场采用的瓶颈。

BroadPak公司总裁兼执行长Farhang Yazdani说:「截至目前为止,矽中介层技术已受限于几家公司。因此,BroadPak与Silex公司开发出一种业界正引颈期盼的技术解决方案与供应链基础架构。」


Silex/BroadPak的矽中介层技术透过矽穿孔(TSV),让多个晶片在一个共同的基板上实现3D互连。
(来源:BroadPak)

Silex公司已经利用这种矽中介层实现 ASIC 与专用 MEMS 晶片的互连了,而此次与BroadPak的合作,则象征首次为半导体制造商推出基于该技术的产品。两家公司联手开发的矽中间层技术不但可实现大量制造,还具备许多 3D 晶片堆叠的优势,包括增加频宽、降低延迟以及降低系统功耗等。

Silex与BroadPak公司建议,该新式矽中介层技术符合功率、混合讯号、连网、系统单晶片(SoC)、微控制器以及其他嵌入式应用。该矽中介层解决方案包括协同设计与特性表征服务、热应力和讯号完整性等性能评估,以及一个完整的的供应链


Silex/BroadPak联手开发矽中介层技术
(来源:BroadPak)

编译:Susan Hong

(参考原文:3-D interposers stack chips,by R Colin Johnson)



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