英特尔/三星难壮大　台积电稳居晶圆代工龙头

英特尔、三星近来虽积极扩大晶圆代工业务布局，但由于同时也投入自有行动处理器开发，因此其他一线晶片业者为避免技术外流，皆不倾向由其代工，致使两家IDM的晶圆代工业务规模难以扩大，短期内仍无法撼动台积电的龙头地位。
近期英特尔(Intel)与三星(Samsung)两大整合元件制造商(IDM)扩张晶圆代工业务版图的攻势再起。除英特尔日前进一步拉拢台积电既有客户Altera合作外，市场也传出三星旗下晶圆代工厂可能以降价抢单的策略，弥补失去苹果订单后的闲置产能，在在引发外界对台积电晶圆代工龙头地位难保的疑虑。

英特尔制程成本高瓜分台积电市占能力有限

图1 资策会MIC资深产业分析师潘建光提到，英特尔与Altera合作对分散先进制程投资风险有益，但对其扩大进军晶圆代工事业的帮助则不大。
资策会MIC资深产业分析师潘建光(图1)表示，英特尔为FPGA业者代工主要目的，其实系分摊先进制程高昂研发费用，对台积电影响不致在短期内扩大；至于面临苹果订单外移危机的三星，近来虽积极拉拢晶片商，但在同业竞争考量下，预估也只能吸引二线厂投片，瓜分台积电市占影响有限。

潘建光进一步分析，尽管英特尔发挥14奈米(nm)三闸极(Tri-Gate)电晶体技术优势，携手Altera强攻超高效能FPGA；但此合作跨越目前主流先进制程下两个世代，不只先期研发投资成本惊人，在英特尔把持自有产能的情况下，也难发挥量产经济效益，唯有对晶片效能要求胜过价格考量的FPGA业者较愿意负担。 因此，英特尔短期内将仅能争取到军事、航太等高阶应用FPGA的代工商机，并用以分摊先进制程研发开支，不足以冲击台积电在主流行动处理器代工市场的霸主地位。

更何况依英特尔制程微缩蓝图，14奈米晶片最快今年底才能试产，并须历经12?18个月的制程优化与测试验证过程，才有机会在2014?2015年导入商用量产。届时，台积电16奈米鳍式电晶体(FinFET)制程亦将具备雏型，除效能与功耗表现可望追近14奈米外，更可发挥纯晶圆代工厂一贯拥有的量产成本效益；因此将持续受到大部分IC设计业者支持，等于把英特尔挡在主流市场门外。

至于来势汹汹的三星，潘建光也认为，随着IC设计产业竞争日益白热化，且苹果去三星化策略起了警惕作用，一线行动应用处理器业者释单给三星代工的意愿将更加保守；即便三星祭出低价抢单攻势，预期也只能吸引二线IC设计业者投片，分得低阶市场一杯羹。

制程转换牛步三星难抢台积28nm订单

台积电目前几乎囊括所有应用28奈米制程的行动处理器代工订单，对台积电而言，将能藉由这道坚强的技术壁垒，防堵三星未来几年在晶圆代工产业迅速壮大。更何况，三星还未能顺利从32奈米闸极优先(Gate First)技术，转换到效能更强、且功耗更低的28奈米闸极后制(Gate Last)制程，因此至今迟迟未能进入28奈米量产阶段，短期内对台积电的威胁性不大。

图2 工研院IEK系统IC与制程研究员萧凯木表示，三星虽积极从32跨足28奈米制程，但仍卡在晶圆介电层漏电严重的难关，还须时间努力。
工研院IEK系统IC与制程研究员萧凯木(图2)表示，探究台积电在28奈米制程技术领先群雄的关键原因，主要在于其2010年就提早投资大量资金与研发人力，因而能在2012年顺利将传统的闸极优先晶圆前段制程，转换成更具未来发展性的闸极后制技术，从而取得发展目前主流28奈米高介电系数金属闸极(HKMG)制程发展的有利位置。

萧凯木进一步分析，由于闸极后制方案可有效解决28奈以下先进制程的热预算(Thermal Budget)问题，且不会增加晶圆等效氧化层的厚度；所以，即便此一制程的复杂度与投入成本相对较高，但对于台积电未来往20甚至16、10奈米世代演进将助益良多。

相较于台积电，三星与另一家纯晶圆代工业者--格罗方德(GLOBALFOUNTRIES)，在去年仍以32奈米闸极优先制程技术为主，近期才开始顺应市场脉动，展开制程转换，进度自然落后台积电一截。显而易见，台积电在押对技术的情况下，不仅今年28奈米市占率仍将维持九成以上的高档表现，并可望在20奈米世代延续技术领先优势。

此外，萧凯木也强调，除非三星将旗下晶圆代工业务独立出来，否则很难在母公司产品与其他IC设计商重叠的情况下，顺利从台积电手中抢到大量行动处理器订单，提升营收表现。

事实上，晶圆代工业者经营重点已明显转往行动晶片生产布局，并视为主要获利成长来源。潘建光认为，未来英特尔、三星必须真正取得高通(Qualcomm)、博通(Broadcom)等一线行动晶片商的订单，才有机会在晶圆代工市场坐大。只是两家公司皆投入研发自有行动处理器后，其他无晶圆厂业者为免技术外泄，舍弃台积电而转向竞争对手投产的意愿可说是微乎其微。