联电星科金朋结盟
时间:2013-01-30 07:50:00
[导读]晶圆代工厂联电(2303)与新加坡封测大厂星科金朋(STATS ChipPAC)昨(29)日宣布结盟,并展示全球第一件在开放式供应链环境下,合作开发的直通矽晶穿孔(TSV)3D IC技术。业界认为,28奈米以下先进制程朝向3D IC发
晶圆代工厂联电(2303)与新加坡封测大厂星科金朋(STATS ChipPAC)昨(29)日宣布结盟,并展示全球第一件在开放式供应链环境下,合作开发的直通矽晶穿孔(TSV)3D IC技术。业界认为,28奈米以下先进制程朝向3D IC发展已是趋势,联电找上星科金朋合作,就是要与台积电推出CoWoS封装解决方案相抗衡。
联电与星科金朋携手,成功实现全球首件开放式供应链3D IC解决方案,所展示的3D晶片堆叠,由Wide I/O记忆体测试晶片和内嵌TSV的28奈米微处理器测试晶片所构成,并且达成封装层级可靠度评估重要的里程碑。
联电强调,此次的成功,证明了透过联电与星科金朋的合作,在技术和服务上结合晶圆专工与封测供应链,将可以顺利实现高可靠度3D IC制造的全面解决方案。
联电先进技术开发处副总经理简山杰表示,3D IC无需局限在封闭的商业模式之下开发,因此联电致力与所有主要的封测伙伴合作开发3D IC,并且都有相当程度的进展。联电与封测领导厂商,例如星科金朋之间的丰硕合作成果,更加确立了3D IC开放式供应链的运作方式。
简山杰表示,对3D IC客户而言,此模式将可运作特别顺畅,因为在开发与执行过程中,晶圆专工与封装测试厂商可以充分发挥各自的核心优势,与封闭式3D IC开发模式相比,客户将受惠于更高的供应链管理弹性,以及技术取得更加透明。
星科金朋技术创新副总经理Shim Il Kwon表示,在开放式供应链的合作模式下,晶圆专工厂尖端的TSV、前段晶圆制程等,可以与后段封测厂的中段、后段3D IC堆叠封测制程整合成互补的完整平台,为半导体市场驱动可靠的3D IC解决方案。
联电与星科金朋携手,成功实现全球首件开放式供应链3D IC解决方案,所展示的3D晶片堆叠,由Wide I/O记忆体测试晶片和内嵌TSV的28奈米微处理器测试晶片所构成,并且达成封装层级可靠度评估重要的里程碑。
联电强调,此次的成功,证明了透过联电与星科金朋的合作,在技术和服务上结合晶圆专工与封测供应链,将可以顺利实现高可靠度3D IC制造的全面解决方案。
联电先进技术开发处副总经理简山杰表示,3D IC无需局限在封闭的商业模式之下开发,因此联电致力与所有主要的封测伙伴合作开发3D IC,并且都有相当程度的进展。联电与封测领导厂商,例如星科金朋之间的丰硕合作成果,更加确立了3D IC开放式供应链的运作方式。
简山杰表示,对3D IC客户而言,此模式将可运作特别顺畅,因为在开发与执行过程中,晶圆专工与封装测试厂商可以充分发挥各自的核心优势,与封闭式3D IC开发模式相比,客户将受惠于更高的供应链管理弹性,以及技术取得更加透明。
星科金朋技术创新副总经理Shim Il Kwon表示,在开放式供应链的合作模式下,晶圆专工厂尖端的TSV、前段晶圆制程等,可以与后段封测厂的中段、后段3D IC堆叠封测制程整合成互补的完整平台,为半导体市场驱动可靠的3D IC解决方案。





